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华通芯电(南昌)电子科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉华通芯电(南昌)电子科技有限公司申请的专利一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119786341B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510273255.3,技术领域涉及:H01L21/28;该发明授权一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备是由请求不公布姓名;郑文韬;雷鸣设计研发完成,并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体技术领域,提供一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备,栅氧层制备方法包括:提供一碳化硅基片,清洗碳化硅基片,并进行湿氧预处理,以于碳化硅基片的表面上形成第一氧化层;对形成第一氧化层的碳化硅基片进行高温热氧化,以于第一氧化层上生长第二氧化层;于第二氧化层上ALD沉积氧化膜,氧化膜包括氧化硅及若干个氢氧根基团;对第一氧化层、第二氧化层及氧化膜进行氮化退火,以于碳化硅基片上形成栅氧层。通过采用上述方法,栅氧层的界面态密度可降低至1e10~1e11cm‑2eV‑1级,所制备出的所述栅氧层具有更加稳定的界面。

本发明授权一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种栅氧层制备方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供一碳化硅基片,清洗所述碳化硅基片,并进行湿氧预处理,以于所述碳化硅基片的表面上形成第一氧化层; 对形成所述第一氧化层的所述碳化硅基片进行高温热氧化,以于所述第一氧化层上生长第二氧化层,所述高温热氧化的温度范围为650℃~1500℃,所述高温热氧化的时间为1min~120min; 于所述第二氧化层上ALD沉积氧化膜,所述氧化膜包括氧化硅及若干个氢氧根基团; 对所述第一氧化层、所述第二氧化层及所述氧化膜进行氮化退火,以于所述碳化硅基片上形成栅氧层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华通芯电(南昌)电子科技有限公司,其通讯地址为:330000 江西省南昌市南昌县小蓝经济技术开发区小蓝中大道389号尚荣城产业园8栋6楼;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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