华通芯电(南昌)电子科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉华通芯电(南昌)电子科技有限公司申请的专利一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510273255.3，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备是由请求不公布姓名;郑文韬;雷鸣设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备，栅氧层制备方法包括：提供一碳化硅基片，清洗碳化硅基片，并进行湿氧预处理，以于碳化硅基片的表面上形成第一氧化层；对形成第一氧化层的碳化硅基片进行高温热氧化，以于第一氧化层上生长第二氧化层；于第二氧化层上ALD沉积氧化膜，氧化膜包括氧化硅及若干个氢氧根基团；对第一氧化层、第二氧化层及氧化膜进行氮化退火，以于碳化硅基片上形成栅氧层。通过采用上述方法，栅氧层的界面态密度可降低至1e10~1e11cm‑2eV‑1级，所制备出的所述栅氧层具有更加稳定的界面。
本发明授权一种栅氧层制备方法、MOSFET及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种栅氧层制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一碳化硅基片，清洗所述碳化硅基片，并进行湿氧预处理，以于所述碳化硅基片的表面上形成第一氧化层； 对形成所述第一氧化层的所述碳化硅基片进行高温热氧化，以于所述第一氧化层上生长第二氧化层，所述高温热氧化的温度范围为650℃~1500℃，所述高温热氧化的时间为1min~120min； 于所述第二氧化层上ALD沉积氧化膜，所述氧化膜包括氧化硅及若干个氢氧根基团； 对所述第一氧化层、所述第二氧化层及所述氧化膜进行氮化退火，以于所述碳化硅基片上形成栅氧层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华通芯电(南昌)电子科技有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌县小蓝经济技术开发区小蓝中大道389号尚荣城产业园8栋6楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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