恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张前江获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910892724.4，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张前江;苏波;窦涛;孙林林设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成初始掩膜层；在初始掩膜层上形成暴露出部分初始掩膜层的图形化结构；在图形化结构侧壁表面形成阻挡层；以图形化结构和阻挡层为掩膜，对初始掩膜层进行离子掺杂处理，在初始掩膜层内形成掺杂区与未掺杂区。去除图形化结构与阻挡层；在去除图形化结构与阻挡层之后，去除未掺杂区，在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，掩膜层内具有暴露出待刻蚀层的顶部表面的第一开口，通过在图形化结构侧壁表面形成阻挡层，能够有效阻挡掺杂离子进入到图形化结构内，进而扩散至未掺杂区，使未掺杂区减小，利用阻挡层有效提升了未掺杂区与图形化结构一致性，进而提升了图案转移的精准度。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层； 在所述待刻蚀层上形成初始掩膜层； 在所述初始掩膜层上形成暴露出部分所述初始掩膜层的图形化结构； 在所述图形化结构侧壁表面形成阻挡层； 以所述图形化结构和所述阻挡层为掩膜，对所述初始掩膜层进行离子掺杂处理，在所述初始掩膜层内形成掺杂区以及位于所述掺杂区之间的未掺杂区； 去除所述图形化结构与所述阻挡层； 在去除所述图形化结构与所述阻挡层之后，去除所述未掺杂区，在所述待刻蚀层表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有暴露出所述待刻蚀层顶部表面的第一开口；其中， 所述阻挡层用于阻挡掺杂离子进入到所述图形化结构的侧壁，进而扩散至所述未掺杂区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号