合肥晶合集成电路股份有限公司李政获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119864318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510336504.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构是由李政;杨昱霖;郭育清;曹平设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有垫氧化层和垫氮化层，所述衬底内形成有浅沟槽；在所述浅沟槽的内壁上形成第一内衬氧化层；在所述第一内衬氧化层上选择性原子层沉积阻挡层；沿所述浅沟槽的槽口对所述垫氮化层和所述垫氧化层进行回推处理，使得所述垫氮化层和所述垫氧化层相较于所述浅沟槽的槽口边缘向两侧发生回推；在所述阻挡层上原位生长第二内衬氧化层；在所述浅沟槽内填充绝缘氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明的制造方法可以有效改善窄宽度器件的阈值电压不稳定的问题。
本发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，所述衬底上依次形成有垫氧化层和垫氮化层，所述衬底内形成有浅沟槽； 在所述浅沟槽的内壁上形成第一内衬氧化层； 在所述第一内衬氧化层上选择性原子层沉积阻挡层； 沿所述浅沟槽的槽口对所述垫氮化层和所述垫氧化层进行回推处理，使得所述垫氮化层和所述垫氧化层相较于所述浅沟槽的槽口边缘向两侧发生回推； 在所述阻挡层上原位生长第二内衬氧化层； 在所述浅沟槽内填充绝缘氧化层，形成浅沟槽隔离结构； 其中，在所述第一内衬氧化层上选择性原子层沉积阻挡层的步骤中选用对所述第一内衬氧化层具有良好吸附性的含硅前驱体作为选择性原子层沉积的前驱体； 所述选择性原子层沉积的阻挡层的厚度大于所述垫氮化层的回推量，所述回推量表示所述垫氮化层相较于所述浅沟槽的槽口边缘向一侧回推的尺寸。
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