申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2015-07-24

公开（公告）日：2019-11-15

公开（公告）号：CN106663468B

主分类号：G11C11/16(20060101)

分类号：G11C11/16(20060101);G11C7/24(20060101)

优先权：["20140815 US 14/460,626"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2021.07.06#未缴年费专利权终止;2017.06.06#实质审查的生效;2017.05.10#公开

摘要：一种装置，包括差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件。该装置进一步包括该差分MTJ对的第二MTJ器件。第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。

主权项：1.一种装置，包括：差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件；以及所述差分MTJ对的第二MTJ器件，其中，所述第一MTJ器件包括反铁磁AFM层、具有低矫顽力部分的存储层、以及具有高矫顽力部分的感测层，所述存储层位于所述AFM层与所述感测层之间，其中，所述第一MTJ器件的第一状态与所述第二MTJ器件的第二状态之差指示在所述差分MTJ对处存储的单一值，其中，所述装置进一步包括控制电路系统和被配置成存储参考状态的参考器件，其中，所述控制电路系统被配置成：存取所述参考器件以确定所述参考状态，并且其中，所述控制电路系统包括反相器电路系统，所述反相器电路系统被配置成：响应于所述参考状态的变化而将由所述差分MTJ对存储的单一值反相。

全文数据：包括具有高矫顽力部分的感测层的差分磁性隧道结对[0001]I.优先权要求[0002]本申请要求共同拥有的于2014年8月15日提交的题为"DIFFERENTIALMAGNETICTUNNELJUNCTIONPAIRINCLUDINGASENSELAYERWITHAHIGHCOERCIVITYPORTION包括具有高矫顽力部分的感测层的差分磁性隧道结对"的美国专利申请No.14460,626的优先权，其内容通过援引全部明确纳入于此。[0003]II.领域[0004]本公开一般涉及存储器器件，尤其涉及磁阻式存储器器件。[0005]III.相关技术描述[0006]电子设备可包括存储器，该存储器存储诸如指令、用户数据和其他信息等信息。例如，电子设备可包括磁阻式随机存取存储器MRAM器件。MRAM器件可包括多个磁性隧道结MTJ元件，每个MTJ元件具有可调节的状态（例如，磁阻）。可经由施加通过MTJ的电流以修改MTJ的磁性质来调节状态。[0007]在某些应用中，MTJ可具有参考配置，该参考配置提供该MTJ的参考磁取向。例如，自旋矩转移MRAMSTT-MRAM器件可包括MTJ，该MTJ具有:存储层、具有固定磁取向的参考层、以及在存储层与参考层之间的隧道势皇。参考层可用于使用自旋矩效应在存储层处读取和写入状态。例如，基于存储层和参考层的相对取向，通过MTJ施加的切换电流可使电子经由自旋矩效应从参考层隧穿到存储层，从而更改MTJ的磁状态。[0008]在其他应用中，MTJ可以是自参考的（self-referenced。例如，自参考的热辅助切换MRAMTAS-MRAM器件可包括具有存储某一状态的存储层的MTJJTJ可进一步包括感测层，该感测层在MTJ的操作（或"自参考"）期间改变状态。向MTJ写入状态可包括：施加通过MTJ的电流以加热该MTJ。加热MTJ可使得减小的切换电流能够调节MTJ的状态。在MTJ冷却之后，状态较不易受到电磁噪声以及能够改变MTJ的状态的其他信号的影响。由于在自参考的TAS-MRAM器件中感测层不具有固定的磁取向，因此TAS-MRAM器件处的感测操作可包括:执行多个操作以将感测层设置成已知的取向，同时确定存储层的取向。例如，为了确定存储层的状态，可在感测层具有第一状态时测量MTJ的第一磁阻。感测层随后可被设置或"翻转"）成第二状态，并且可在感测层具有第二状态时测量MTJ的第二磁阻。可基于第一磁阻是大于还是小于第二磁阻来确定由MTJ存储的比特值。[0009]TAS-MRAM器件处的读操作可消耗比STT-MRAM器件处的读操作更多的功率。例如，使用自旋矩转移效应来感测STT-MRAM器件的MTJ处的状态可消耗比在TAS-MRAM器件的MTJ的自参考期间重复地设置感测层的磁状态更少的功率。然而，TAS-MRAM器件可比STT-MRAM器件更可靠地存储数据例如由于在TASMTJ被冷却或"冷冻"在某一状态中时TAS-MRAM器件可较不易受到噪声的影响）。[0010]IV.概述[0011]-种设备可包括差分磁性隧道结MTJ对，该差分MTJ对具有存储某一值的第一MTJ和第二MTJ。为了读取该值，可感测并比较各MTJ的磁阻。将单个比特值映射到MTJ可使得高矫顽力材料或磁性"硬"材料能够被包括在MTJ器件的感测层中（因为在读操作期间感测层的状态不需要如在某些常规的自参考MTJ中一样被"翻转"）。在感测层中包括高矫顽力材料可诸如通过增加感测层的稳定性来增强MTJ器件的可靠性，以改善MTJ器件的操作。此外，可通过在读操作期间避免如在某些常规自参考MTJ器件中一样对感测层的"翻转"来减少读操作等待时间。在解说性实现中，差分MTJ对被实现在热辅助切换（TAS自旋矩转移STT磁阻式随机存取存储器TAS-STT-MRAM器件内，该TAS-STT-MRAM器件利用STT和TAS效应两者在差分MTJ对处存储信息。[0012]在特定实施例中，一种装置包括差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件。所述装置进一步包括所述差分MTJ对的第二MTJ器件。所述第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。[0013]在另一特定实施例中，一种方法包括:发起感测操作以确定第一磁性隧道结MTJ器件的第一状态以及第二MTJ器件的第二状态。发起所述感测操作包括生成通过所述第一MTJ器件的感测层的电流;所述感测层包括高矫顽力部分。所述方法进一步包括:将所述第一状态与所述第二状态进行比较，以确定与所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件相关联的值。[0014]在另一特定实施例中，一种装备包括:用于存储差分磁性隧道结MTJ对的第一磁状态的装置，以及用于存储所述差分MTJ对的第二磁状态的装置。用于存储所述第一磁状态的装置包括具有高矫顽力部分的感测层。[0015]在另一特定实施例中，一种磁阻式随机存取存储器MRAM器件包括多个差分MTJ对。所述多个差分MTJ对包括具有感测层的差分MTJ对，所述感测层包括高矫顽力部分。所述MRAM器件进一步包括参考器件。所述参考器件被配置成:存储采样状态以实现响应于所述MRAM器件暴露于强磁场而进行数据恢复。[0016]在另一特定实施例中，一种计算机可读介质存储可由处理器执行的指令。所述计算机可读介质包括差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件以及所述差分磁性隧道结MTJ对的第二MTJ器件。所述第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。[0017]由所公开的实施例中的至少一个实施例提供的一个特定优点在于，在差分MTJ对处存储单个值可以使得感测层能够包括"硬"磁材料，这是因为在差分MTJ对的操作期间磁状态不需要切换或"翻转"。在该情形中，差分MTJ对的操作不同于常规的自参考器件，这是因为感测层可具有"固定的"磁状态而不是可配置的磁状态。固定的磁状态可实现差分MTJ对处的STT操作（因为自旋矩转移可取决于磁状态的相对方向并且可与常规的自参考TAS-MRAM设计不兼容）。在感测层中包括硬磁材料可以实现MTJ器件处的STT操作（例如，通过实现MTJ器件的感测层与存储层之间的隧穿）ITJ器件可进一步包括反铁磁AFM材料，该AFM材料实现MTJ器件的TAS操作。因此，差分MTJ对可实现MRAM器件处的STT和TAS操作两者。差分MTJ对因此可以实现低功率STT操作，同时还达成与TAS设计相关联的稳定性可靠性。在查阅整个申请之后，本公开的其他方面、优点和特征将变得显而易见，该申请包括以下部分:附图简述、详细描述和权利要求书。[0018]V.附图简述[0019]图1是差分磁性隧道结MTJ对的特定解说性实施例的框图并解说了指示与该差分MTJ对相关联的示例值的表；[0020]图2是可包括图1的差分MTJ对的器件的特定解说性实施例的图；[0021]图3是可包括图1的差分MTJ对的器件的另一特定解说性实施例的图；[0022]图4是可包括图1的差分MTJ对的器件的另一特定解说性实施例的图并解说了该器件的区域的横截面视图；[0023]图5是可包括图1的差分MTJ对的器件的另一特定解说性实施例的图；[0024]图6是可包括图1的差分MTJ对的器件的另一特定解说性实施例的图；[0025]图7是差分MTJ对诸如图1的差分MTJ对）的操作的方法的特定解说性实施例的流程图；[0026]图8是包括差分MTJ对Ot如图1的差分MTJ对的电子设备的框图；以及[0027]图9是用于制造包括差分MTJ对诸如图1的差分MTJ对）的电子设备的制造过程的特定解说性实施例的数据流图。[0028]VI.详细描述[0029]图1解说了差分磁性隧道结MTJ对100。差分MTJ对100包括MTJ器件110和MTJ器件120JTJ器件110包括感测层112、隧道势皇层114、存储层116、以及反铁磁AFM层118JTJ器件120包括感测层122、隧道势皇层124、存储层126、以及AFM层128。[0030]感测层112、122可具有"固定的"磁状态，这些磁状态具有共同的（例如，平行的）取向。例如，感测层112、122可包括"硬"磁材料，诸如高矫顽力部分111、121。在解说性示例中，高矫顽力部分111、121各自具有大于1000奥斯特Oe的矫顽力。在解说性实现中，高矫顽力部分111、121包括钴铁硼CoFeB材料，诸如掺杂有硼的钴铁合金。CoFeB材料可具有2000-30000e之间的矫顽力。高矫顽力部分111、121可各自包括合成反铁磁SAF器件。[0031]隧道势皇层114、124可被配置成实现差分MTJ对100处的自旋矩转移STT操作例如，使用隧穿效应）。隧道势皇层114、124可包括氧化物材料，作为解说性示例，诸如氧化镁和或氧化铝。[0032]存储层116、126可包括"软"磁材料，诸如低矫顽力部分117、127。为了解说，低矫顽力部分可各自具有小于l〇〇〇e例如，990e或更小、50e或更小、IOe或更小、等等）的矫顽力。低矫顽力部分117、127可包括磁性"软"的一种或多种材料，以实现存储层116、126的磁状态的切换。在解说性实现中，低矫顽力部分117、127包括铁镍FeNi材料，诸如透磁合金材料。[0033]AFM层118、128可诸如通过引起存储层116、126的"交换偏置"，来实现差分MTJ对100的热辅助切换操作。AFM层118、128可包括一种或多种AFM材料。在差分MTJ对100的热辅助切换磁阻式随机存取存储器TAS-MRAM实现中，可选择AFM材料以实现与MTJ器件110、120相关联的特定阻挡温度blockingtemperature。例如，为了实现大约200摄氏度（°C的阻挡温度，AFM层118、128可包括铱锰（IrMn合金材料。作为另一示例，为了实现大约150°C的阻挡温度，AFM层118、128可包括铁锰FeMn合金材料。[0034]在差分MTJ对100的操作期间，可发起写操作以在差分MTJ对100处写入值。为了发起写操作，可向MTJ器件110、120施加互补的写电流。为了解说，可向MTJ器件110施加第一写电流，并且可向MTJ器件120施加第二写电流。第一写电流和第二写电流可具有互补方向。例如，第一写电流可从感测层112传导到AFM层118,并且第二写电流可从AFM层128传导到感测层122或反之亦然）。在热辅助切换TAS实现中，第一写电流和第二写电流可具有满足用于加热AFM层118、128的阈值的幅度，以实现存储层116、126的磁状态的切换，诸如通过将AFM层118、128处的温度增大到超过与AFM层118、128相关联的"阻挡"温度。在该情形中，在停止向MTJ器件110、120施加第一写电流和第二写电流之际，存储层116的第一磁状态和存储层126的第二磁状态可被"冻结"。[0035]第一写电流可在MTJ器件110处生成第一状态例如，低磁阻或者在MTJ器件110处生成第二状态例如，高磁阻）。为了解说，第一写电流可具有特定的幅度和或方向，该特定的幅度和或方向通过将存储层116的磁取向设置成与感测层112的磁取向平行来生成第一状态，从而得到MTJ器件110处的低磁阻。替换地，第一写电流可具有另一幅度和或方向，该另一幅度和或方向通过将存储层116的磁取向设置成与感测层112的磁取向反平行来生成第二状态，从而得到MTJ器件110处的高磁阻。[0036]第二写电流可在MTJ器件110处生成第一状态或第二状态。为了解说，第二写电流可通过将存储层126的磁取向设置成与感测层122的磁取向平行来生成第一状态，从而得到MTJ器件120处的低磁阻。替换地，第一写电流可通过将存储层126的磁取向设置成与感测层122的磁取向反平行来生成第二状态，从而得到MTJ器件120处的高磁阻。[0037]在差分MTJ对100处的读操作期间可确定与该差分MTJ对100相关联的值。为了解说，可在MTJ器件110、120处生成读电流例如，通过包括差分MTJ对100的器件的控制电路系统）以确定MTJ器件110、120的状态（例如，磁阻），并且可对各状态进行比较。在差分MTJ对100的热辅助切换TAS实现中，读电流可具有不满足用于加热AFM层118、128的阈值的幅度例如，以避免在读操作期间切换存储层116、126的磁状态）JTJ器件120相对于MTJ器件110的磁阻的较大磁阻可指示与差分MTJ对相关联的第一值。MTJ器件110相对于MTJ器件120的磁阻的较大磁阻可指示与差分MTJ对相关联的第二值。[0038]为了进一步解说，图1描绘了表150。表150指示可使用MTJ器件110、120的互补状态向差分MTJ对100写入或从差分MTJ对100读取单个值例如，逻辑"0"值或逻辑"Γ值）。例如，表150指示，如果MTJ器件110具有第一状态例如，低磁阻并且如果MTJ器件120具有第二状态例如，高磁阻），则差分MTJ对100与第一值例如，逻辑"0"值相关联。表150进一步指示，如果MTJ器件120具有第一状态例如，高磁阻并且如果MTJ器件110具有第二状态例如，低磁阻），则差分MTJ对100与第二值例如，逻辑"Γ值相关联。[0039]在解说性实现中，图1的差分MTJ对100可实现TAS操作，同时还促成STT操作。例如，在差分MTJ对100处存储单个值可使得感测层112、122能够包括"硬"磁材料例如，高矫顽力部分111、121，这是因为在差分MTJ对100的操作期间感测层112、122的磁状态不需要切换或"翻转"。在该示例中，差分MTJ对100的操作不同于常规的自参考TAS-MRAM器件，这是因为感测层112、122可具有"固定的"磁状态例如，可包括高矫顽力材料或"硬"磁材料而不是"软"磁材料）。感测层112、122的固定的磁状态可实现差分MTJ对100处的自旋矩转移操作因为自旋矩取决于磁状态的相对方向）。因此，差分MTJ对100诸如在差分MTJ对100处的写操作期间可实现STT操作例如，使用与隧道势皇层114、124相关联的隧穿效应和TAS操作例如，使用与AFM层118、128相关联的交换偏置效应两者。差分MTJ对100因此可实现低功率STT操作，同时还达成与TAS设计相关联的稳定性可靠性。[0040]参照图1所解说的各示例可在各种器件内实现。参照图2-6进一步描述了可包括差分MTJ对100的某些解说性示例器件。[0041]参照图2,描绘了一种器件的特定解说性实施例并将其一般地标示为200。器件200的某些结构和操作可对应于参照图1所描述的一个或多个结构和操作。例如，器件200可包括MTJ器件110、120。[0042]器件200可进一步包括位线212和位线222JTJ器件110可耦合到位线212,并且MTJ器件120可耦合到位线222。[0043]器件200可进一步包括晶体管214、晶体管224、以及字线230JTJ器件110可经由晶体管214耦合到字线230,并且MTJ器件120可经由晶体管224耦合到字线230。例如，晶体管214、224的漏极端子可耦合到MTJ器件110、120,并且晶体管214、224的栅极端子可耦合到字线230〇[0044]器件200可进一步包括源线216和源线226JTJ器件110可经由晶体管214耦合到源线216,并且MTJ器件120可经由晶体管224耦合到源线226。例如，晶体管214、224的源极端子可耦合到源线216、226。[0045]在操作中，可在经由字线230处的电压来激活晶体管214、224的同时，通过在MTJ器件110、120处生成互补的写电流，在器件200处发起写操作。例如，可从位线212到源线226产生第一写电流，并且可从源线226到位线222产生第二写电流或反之亦然）。[0046]第一写电流可设置存储层116处的磁状态219例如，磁矩）。图2的示例描绘了存储层116的磁状态219可相对于感测层112的磁状态218例如，磁矩）平行，从而产生MTJ器件110的第一状态例如，低磁阻）。[0047]第二写电流可设置存储层126处的磁状态229例如，磁矩）。图2的示例描绘了存储层126的磁状态229可相对于感测层122的磁状态228例如，磁矩反平行，从而产生MTJ器件120的第二状态例如，高磁阻）。[0048]可在器件200处发起读操作以确定磁状态219、229的取向。为了解说，可在MTJ器件110处生成第一读电流以确定MTJ器件110的第一磁阻，并且可在MTJ器件120处生成第二读电流以确定MTJ器件120的第二磁阻。作为解说性示例，可在由字线230处的电压来激活晶体管214、224的同时，通过用高电压偏置位线212、222并用较低电压偏置源线216、226来生成读电流。基于第一磁阻与第二磁阻的比较，MTJ器件110、120可与第一值例如，逻辑"0"值）或第二值例如，逻辑"Γ值相关联。例如，如果第二磁阻大于第一磁阻，则MTJ器件1ΠΚ120可与第一值相关联。作为另一示例，如果第一磁阻大于第二磁阻，则MTJ器件110、120可与第^•值相关联。[0049]图2的示例200解说了被配置成实现对MTJ器件110、120处的互补状态的写和读的电路系统。例如，通过在器件200中包括多条位线（位线212、222和多条源线（源线216、226，可使用不同方向的写电流（与不使用互补的写电流向差分MTJ对写入状态的设备相比）来并发地偏置MTJ器件110、120。替换地，差分MTJ对可连接到共用源线，如参照图3所描述的。[0050]参照图3,描绘了一种器件的特定解说性实施例并将其一般地标示为300。器件300的某些结构和操作可对应于参照图1和2所描述的一个或多个结构和操作。例如，器件300可包括MTJ器件110、120JTJ器件110可经由晶体管214耦合到字线230,并且MTJ器件120可经由晶体管224耦合到字线230。[0051]器件300可进一步包括源线302、晶体管304、以及字线306JTJ器件110、120可经由晶体管304连接到源线302和字线306。例如，MTJ器件110、120可连接到晶体管304的源极端子，并且字线306可连接到晶体管304的栅极端子。源线302可连接到晶体管304的漏极端子。由此，在图3的示例中，MTJ器件110和MTJ器件120经由共用晶体管（晶体管304耦合到共用源线源线302。[0052]器件300可进一步包括位线312和位线322。晶体管214可连接到位线312,并且晶体管224可连接到位线322。例如，晶体管214的源极端子可连接到位线312,并且晶体管224的源极端子可连接到位线322。[0053]在器件300的操作期间，可在经由字线230处的电压来激活晶体管214、224的同时，通过使用不同的电压偏置位线312、322,在MTJ器件110、120处发起写操作。例如，可在位线312处施加第一电压，并且可在位线322处施加不同于第一电压的）第二电压。第二电压可大于第一电压以在MTJ器件110、120处写入第一值，或者第一电压可大于第二电压以在MTJ器件110、120处生成第二值。在任一情形中，在使用不同电压来偏置之后MTJ器件110、120可具有互补状态（例如，MTJ器件110可具有低磁阻并且MTJ器件120可具有高磁阻，或反之亦然。[0054]图3的示例实现对MTJ器件110、120之间的共用源线（源线302的"共享"。例如，通过在位线312、322处偏置不同的电压，可结合共用源线源线302在MTJ器件110、120处设置互补状态。图3的示例因此可在某些应用中节省电路面积，这可得到包括器件300的集成电路的较小管芯尺寸。替换地或另外地，MTJ器件110、120的一个或多个结构可被包括在共用组件中，如参照图4进一步描述的。[0055]参照图4,描绘了一种器件的特定解说性实施例并将其一般地标示为400。器件400的某些结构和操作可对应于参照图1-3所描述的一个或多个结构和操作。例如，器件400可包括MTJ器件110、120。[0056]器件400可进一步包括位线412和晶体管414JTJ器件110可经由晶体管414连接到位线412。例如，晶体管414的源极端子可连接到MTJ器件110,并且晶体管414的漏极端子可连接到位线412。[0057]器件400可进一步包括位线422和晶体管424JTJ器件120可经由晶体管424连接到位线422。例如，晶体管424的源极端子可连接到MTJ器件120,并且晶体管424的漏极端子可连接到位线422。[0058]器件400可进一步包括字线430。字线430可连接到晶体管414、424。例如，字线430可连接到晶体管414、424的栅极端子。[0059]器件400可进一步包括铁磁FM耦合层432和反铁磁AFM层434。在解说性实现中，FM親合层432包括交换偏置材料，诸如钌Ru。例如，FM耦合层432可包括大约8-9埃A的Ru。[0060]在图4的示例中，MTJ器件110、120"共享"FM耦合层432和AFM层434。例如，AFM层434可与包括AFM层118、128的单个例如，连续、单片等等）区域相对应。在一个或多个其他配置中（例如，在图1-3的示例中），AFM层118、128可与分开的区域相对应。在这些示例中，作为解说性示例，可使用制造过程的蚀刻工艺将AFM层例如，AFM层434蚀刻成AFM层118、128。参照图9进一步描述了某些解说性制造过程。[0061]器件400可进一步包括晶体管436、字线438、以及源线440JTJ器件110、120可经由晶体管436连接到字线438和源线440。例如，AFM层434可连接到晶体管436的漏极端子，字线438可连接到晶体管436的栅极端子，并且源线440可连接到晶体管436的源极端子。由此，在图4中，MTJ器件110和MTJ器件120各自包括共用FM耦合层FM耦合层432和共用AFM层AFM层434。共用AFM层可经由共用晶体管（晶体管436耦合到共用源线源线440。[0062]图4进一步解说了沿着切割平面1取得的器件400的区域450的示例横截面视图。在操作中，可在器件400处施加写电流。例如，可在字线430、438处的电压激活晶体管414、424和436的同时通过使用高电压偏置源线440并通过使用较低电压偏置位线412、422来生成电流。在该情形中，通过FM親合层432的电流可生成具有场分量452、454的磁场。[0063]场分量452、454可确定磁状态219、229的取向（或方向），从而得到与MTJ器件110、120相关联的第一值（例如，其中MTJ器件120的磁阻大于MTJ器件110的磁阻）。在另一示例中，可在相反方向上（从源线440到位线412、422生成电流，这可得到相反方向的场分量452、454,从而使磁状态219、229具有与图4的示例中所解说的相反的取向。在该情形中，第二值可与MTJ器件110、120相关联例如，其中MTJ器件110的磁阻大于MTJ器件120的磁阻）。[0064]图4的示例解说了MTJ器件110、120的某些结构可被实现为单个组件或结构。例如，图4解说了MTJ器件110、120可"共享"FM耦合层432和AFM层434，这可实现MTJ存储器阵列的MTJ器件的增加的密度和或可减少制造操作的数量例如，通过在器件400的制造期间避免与FM親合层432和AFM层434相关联的某些蚀刻工艺）。[0065]为解说方便起见，已使用面内磁几何形状来描述了图2-4。面内磁各向异性MTJiMTJ可与第一磁各向异性相关联，其中iMTJ层的磁矩基本平行于该层的表面。垂直磁各向异性MTJpMTJ可与第二磁各向异性储如垂直磁各向异性PMA相关联，其中pMTJ层的磁矩基本垂直于该层的表面。与包括PMTJ的存储器器件相比，包括iMTJ的存储器器件可与不同的性能特性例如，不同的切换电流）相关联。应当领会，取决于特定的实现，MTJ器件110、120可对应于iMTJ器件或pMTJ器件。参照图5和6进一步描述了针对pMTJ器件的示例配置。[0066]参照图5,描绘了一种器件的特定解说性实施例并将其一般地标示为500。器件500的某些结构和操作可以如参照图1-4所描述的。例如，器件500可包括MTJ器件110、120。[0067]在图5的示例中，感测层112、122和存储层116、126具有垂直磁各向异性。例如，感测层112、122和存储层116、126的材料可具有"优选的"磁取向，该磁取向垂直于一平面，诸如与MTJ器件110、120形成于其上的基板的表面相对应的平面。[0068]感测层112可具有磁状态518,并且感测层122可具有磁状态528。磁状态518、528可对应于"固定的"磁状态。存储层116可具有磁状态519，并且存储层126可具有磁状态529。磁状态519、529可以是互补的卿，可具有不同的取向，如图5的示例中所解说的）。图5中所解说的磁状态519、529的取向可对应于由MTJ器件110、120存储的第一值。当磁状态519、529的取向反转时，MTJ器件110、120可存储第二值。[0069]图5的示例结合垂直磁各向异性PMA配置解说了差分MTJ对MTJ器件110、120。取决于特定应用，与某些面内磁配置相比，PM配置可与较低的功耗和增强的热稳定性相关联。[0070]参照图6,描绘了一种器件的特定解说性实施例并将其一般地标示为600。器件600的某些结构和操作可对应于参照图1-5所描述的一个或多个结构和操作。例如，器件600可包括MTJ器件110、120。[0071]图6解说了MTJ器件110、120可具有与一个或多个"共享"区域储如铁磁FM耦合层632和反铁磁AFM层634结合的PMA配置。FM耦合层632的结构和操作可以如参照图4的区域450所描述的。在图6的示例中，可选择存储层116、126的一种或多种材料以实现存储层116、126的垂直磁各向异性PMA。为了解说，图6描绘了磁状态519、529可具有垂直于存储层116、126的表面的取向。[0072]图6的示例解说了MTJ器件110、120可"共享"FM耦合层632和AFM层634。图6的示例因此可实现MTJ器件处增加的存储密度例如，通过减小MTJ器件之间的宽度和减小的制造成本例如，通过避免用于蚀刻FM親合层632和或AFM层634的蚀刻工艺）。[0073]参照图7,描绘了一种方法的特定实施例并将其一般地标示为700。可使用差分MTJ对100，器件200、300、400、500和600中的一者或多者，或者其组合来执行方法700。[0074]方法700包括：在702处，发起感测操作以确定第一MTJ器件的第一状态以及第二MTJ器件的第二状态。第一MTJ器件可对应于MTJ器件110，并且第二MTJ器件可对应于MTJ器件120。发起感测操作可包括:生成通过第一MTJ器件的感测层的电流。感测层可包括高矫顽力部分。感测层可对应于感测层112或感测层122,并且高矫顽力部分可对应于高矫顽力部分111或高矫顽力部分121。作为示例，可在由字线230处的电压来激活晶体管214的同时，通过用高电压偏置源线216并通过用较低电压偏置位线212来生成电流，如参照图2所描述的。[0075]电流的幅度可指示第一MTJ器件的第一状态（例如，MTJ器件110的第一磁阻）。例如，如果幅度满足阈值，则电流可指示MTJ器件110具有低磁阻。发起感测操作可进一步包括:诸如在由字线230处的电压来激活晶体管224的同时，通过用低电压偏置源线226并用较高电压偏置位线222,在第二MTJ器件处生成第二电流，如参照图2所描述的。第二电流的第二幅度可指示第二MTJ器件的第二状态（例如，MTJ器件120的第二磁阻）。例如，如果第二幅度无法满足阈值，则电流可指示MTJ器件120具有高磁阻。[0076]方法700进一步包括：在704处，将第一状态与第二状态进行比较，以确定与第一MTJ器件和第二MTJ器件相关联的值。第一状态与第二状态之差可指示与包括第一MTJ器件和第二MTJ器件的差分MTJ对相关联的值。为了解说，第一状态可对应于第一MTJ器件的第一磁阻，第二状态可对应于第二MTJ器件的第二磁阻，并且该差可指示第一磁阻是否大于第二磁阻。如果第二磁阻大于第一磁阻，则该值可对应于特定的比特值，诸如逻辑0比特值。如果第一磁阻大于第二磁阻，则该值可对应于另一比特值，诸如逻辑1比特值。[0077]在发起感测操作之前，方法700可进一步包括:通过在第一MTJ器件处生成第一状态并通过在第二MTJ器件处生成第二状态，向差分MTJ对写入该值。例如，可向MTJ器件110、120施加写电流以设置差分MTJ对100处的互补状态，如参照图1所描述的。[0078]方法700可实现MRAM器件处改善的操作。例如，由于在感测操作期间感测层的磁状态不需要如在某些自参考的MTJ设计中一样被"翻转"，因此感测层可包括高矫顽力部分，诸如高矫顽力部分111。高矫顽力部分可具有稳定的或"固定的"磁状态。因此，与包括可响应于噪声、干扰等等而改变状态的"软"感测层的MTJ器件相比，减少了感测操作的等待时间并增加了稳定性。[0079]可在包括MTJ器件的电子设备处执行方法700。电子设备可包括磁阻式随机存取存储器MRAM器件，诸如差分MTJ对的MRAM存储器阵列，这些差分MTJ对各自对应于图1的差分MTJ对100。在解说性实现中，由热辅助切换自旋矩转移磁阻式随机存取存储器TAS-STTMRAM器件的控制电路系统来执行方法700,如参照图8进一步描述的。[0080]参照图8,描绘了一种电子设备的特定解说性实施例的框图并将其一般地标示为800。在特定实施例中，电子设备800与被配置成经由无线通信网络进行通信的移动设备相对应。[0081]电子设备800包括处理器810,诸如数字信号处理器DSP。处理器810可耦合到存储器，诸如耦合到磁阻式随机存取存储器MRAM器件832JRAM器件832可包括存储器阵列860，该存储器阵列860包括多个差分MTJ对，诸如图1的差分MTJ对100。存储器阵列860可进一步包括参考器件864JRAM器件832可进一步包括控制电路系统866。控制电路系统866可包括反相器电路系统868,诸如一个或多个互补金属氧化物半导体CMOS反相器。在特定实施例中，MRAM器件832对应于TAS-STTMRAM器件。应当领会，器件200、300、400、500和600中的一个器件可以在MRAM器件832内实现。[0082]处理器810可在MRAM器件832处读取和或写入指令852和或数据854。例如，处理器810可以使控制电路系统866将指令852和或数据854存储到存储器阵列860。作为另一示例，处理器810可使控制电路系统866从存储器阵列860读取指令852和或数据854。控制电路系统866可被配置成:发起或控制参照图1-7所描述的一个或多个操作，诸如方法700的操作。例如，控制电路系统866可包括感测放大器，其被配置成:将指示图1的MTJ器件110的第一状态的第一电流与指示图1的MTJ器件120的第二状态的第二电流进行比较，以确定由差分MTJ对100存储的值。[0083]图8还示出了耦合到处理器810和显示器828的显示控制器826。编码器解码器CODEC834也可耦合到处理器810。扬声器836和话筒838可耦合到CODEC834。图8进一步指示了无线控制器880可耦合到处理器810。无线控制器880可进一步经由射频RF接口886耦合到天线882。[0084]在特定实施例中，处理器810、显示控制器826、MRAM器件832、C0DEC834、以及无线控制器880被包括在系统级封装或片上系统器件822中。在特定实施例中，输入设备830和电源844耦合到片上系统器件822。此外，在特定实施例中，如图8中所解说的，显示器828、输入设备830、扬声器836、话筒838、天线882、电源844、以及RF接口886在片上系统器件822的外部。然而，显示器828、输入设备830、扬声器836、话筒838、天线882、电源844以及RF接口886中的每一者可耦合到片上系统器件822的组件，诸如接口或控制器。[0085]参考器件864和反相器电路系统868可实现MRAM器件832处的数据恢复。为了解说，如果MRAM器件经受强外部磁场，则可更改或"倒转"）该MRAM器件的各MTJ的一个或多个磁状态。TAS-MRAM器件通常提供高稳定性以及针对外部磁场的保护，这是因为必须加热MTJ来改变存储层的状态。然而，在一些情形中，强磁场可更改MTJ的感测层的状态，从而导致数据损坏。为了解说，如果强磁场使图2的磁状态218、228"倒转"，则MTJ器件110、120的状态可改变例如，从逻辑T值到逻辑"〇"值，这是因为MTJ器件110会具有大于MTJ器件120的电阻）。[0086]参考器件864可被配置成存储参考状态例如，采样状态，诸如对于控制电路系统866已知的参考磁阻）。例如，参考器件864可包括指示采样状态例如，而不是与用户数据相关联的状态）的一个或多个差分MTJ对。在电子设备800的操作期间，控制电路系统866可被配置成对参考器件864进行存取以检测参考状态。如果控制电路系统866检测到参考状态的变化例如，参考状态已"倒转"），则MRAM器件832可能已经经受强磁场，该强磁场已更改了存储器阵列860的MTJ器件例如，差分MTJ对100的磁状态。[0087]响应于检测到参考状态的改变，控制电路系统866可被配置成将从存储器阵列860读取的值反相（即，以补偿响应于在MRAM器件832处施加强磁场的状态"倒转"）。反相器电路系统868可将从存储器阵列860读取的每个值反相例如，从逻辑"0"比特值到逻辑"Γ比特值，并且反之亦然）以生成反相值。作为解说性示例，诸如响应于来自处理器810的针对存储在存储器阵列860处的数据或指令的读请求，MRAM器件832可以将反相值提供给处理器810。[0088]图8的示例解说了针对利用差分MTJ对的MRAM器件的简化的数据恢复。为了解说，如果参考器件864的参考状态改变，则控制电路系统866可确定MRAM器件832已经经受强外部磁场。在该情形中，控制电路系统866可使用反相器电路系统868来生成从存储器阵列860读取的数据的补，以"恢复"该数据。因此，参考器件864和反相器电路系统868可在MRAM器件832处施加强磁场之后实现对数据的恢复。[0089]虽然已经参照电子设备800解说了图8的示例，但应当领会，可在一个或多个其他设备处实现图8的技术。例如，作为解说性示例，可在射频标识RFID设备内实现参考器件864和反相器电路系统868。由此，图8的示例可改善数据可靠性并且可在强磁场诸如结合"拒绝服务"（DoS攻击导致的数据损坏之后实现对数据的恢复。[0090]结合所描述的实施例，一种磁阻式随机存取存储器MRAM器件（例如，MRAM器件832包括多个差分MTJ对例如，存储器阵列860。多个差分MTJ对包括具有感测层例如，感测层112或感测层122的差分MTJ对例如，差分MTJ对100，该感测层包括高矫顽力部分例如，高矫顽力部分111或高矫顽力部分121。该MRAM器件进一步包括参考器件，诸如参考器件864。参考器件被配置成:存储采样状态以响应于MRAM器件暴露于强磁场而实现数据恢复。[0091]结合所描述的实施例，一种装备包括:用于存储差分磁性隧道结MTJ对的第一磁状态的装置以及用于存储该差分MTJ对的第二磁状态的装置。用于存储第一磁状态的装置可对应于MTJ器件110，用于存储第二磁状态的装置可对应于MTJ器件120，并且差分MTJ对可对应于差分MTJ对100。用于存储第一磁状态的装置包括具有高矫顽力部分的感测层。感测层可对应于感测层112或感测层122,并且高矫顽力部分可对应于高矫顽力部分111或高矫顽力部分121。[0092]结合所描述的实施例，一种计算机可读介质（例如，存储器阵列860存储可由处理器例如，处理器810执行的指令例如，指令852。该计算机可读介质包括差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件以及该差分磁性隧道结MTJ对的第二MTJ器件。第一MTJ器件可对应于MTJ器件110，第二MTJ器件可对应于MTJ器件120，并且差分MTJ对可对应于差分MTJ对100。第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。感测层可对应于感测层112或感测层122,并且高矫顽力部分可对应于高矫顽力部分111或高矫顽力部分121。在解说性实现中，第一MTJ器件的第一状态与第二MTJ器件的第二状态之差指示单个比特值。例如，第一状态可对应于MTJ器件110的第一磁阻，第二状态可对应于MTJ器件120的第二磁阻，并且该差可指示第一磁阻是否大于第二磁阻。在特定实施例中，计算机可读介质包括差分MTJ对的阵列，并且差分MTJ对中的每一者存储相应的例如，指令852的）比特值。[0093]上文公开的器件和功能性可被设计和配置在存储于计算机可读介质上的计算机文件例如，RTL、GDSII、GERBER等）中。一些或全部此类文件可被提供给基于此类文件来制造器件的制造处理人员。结果得到的产品包括晶片例如，半导体晶片），其随后被切割成管芯并被封装成芯片。芯片随后被用在上面所描述的设备中（例如，电子设备800内），如参照图9进一步描述的。[0094]图9描绘了电子设备制造过程900的特定说明性实施例。在制造过程900处诸如在研究计算机906处接收物理器件信息902。物理器件信息902可包括表示半导体器件诸如差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822的至少一个物理性质的设计信息。例如，物理器件信息902可包括经由耦合到研究计算机906的用户接口904输入的物理参数、材料特性、以及结构信息。研究计算机906包括耦合到计算机可读介质诸如存储器910的处理器908,诸如一个或多个处理核。存储器910可存储计算机可读指令，其可被执行以使处理器908变换物理器件信息902以遵循某一文件格式并生成库文件912。[0095]在特定实施例中，库文件912包括至少一个包括经变换的设计信息的数据文件。例如，库文件912可指定半导体器件的库，其指示差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822。可结合电子设计自动化EDA工具920来利用库文件912。[0096]库文件912可在设计计算机914处与EDA工具920协同使用，设计计算机914包括耦合到存储器918的处理器916,诸如一个或多个处理核。EDA工具920可被存储为存储器918处的处理器可执行指令，以使得设计计算机914的用户能够设计库文件912的电路。电路可包括差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822。例如，设计计算机914的用户可经由耦合到设计计算机914的用户接口924来输入电路设计信息922。电路设计信息922可包括表示半导体器件（诸如差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822的至少一个物理性质的设计信息。为了解说，电路设计信息922可标识特定电路以及与电路设计中其他元件的关系、定位信息、特征尺寸信息、互连信息、或表示半导体器件的物理性质的其他信息。[0097]设计计算机914可被配置成变换设计信息（包括电路设计信息922以遵循某一文件格式。为了解说，文件形成可包括以分层格式表示关于电路布局的平面几何形状、文本标记、及其他信息的数据库二进制文件格式，诸如图形数据系统GDSII文件格式。设计计算机914可被配置成生成包括经变换的设计信息的数据文件，诸如包括描述差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822的信息以及其他电路或信息的GDSII文件926。为了解说，数据文件可包括与片上系统SoC相对应的信息，该SoC包括差分MTJ对100和或器件200、300、400、500和600中的一者或多者，并且还包括该30：内的附加电子电路和组件。SoC可对应于片上系统器件822。[0098]可在制造过程928处接收⑶SII文件926,以根据⑶SII文件926中的经变换的信息来制造差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822。例如，器件制造过程可包括将GDSII文件926提供给掩模制造商930以创建一个或多个掩模，诸如用于与光刻处理联用的掩模，其被解说为代表性掩模932。掩模932可在制造过程期间被用于生成一个或多个晶片934,晶片934可被测试并被分成管芯，诸如代表性管芯936。管芯936可包括差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822。[0099]为了进一步解说，处理器933和存储器935可发起和或控制制造过程928。存储器935可包括可执行指令，诸如计算机可读指令或处理器可读指令。这些可执行指令可包括可由处理器诸如处理器933执行的一个或多个指令。[0100]制造过程928可由全自动化或部分自动化的制造系统来实现。例如，制造过程928可以根据调度来自动化。制造系统可包括用于执行一个或多个操作以形成器件诸如，MRAM器件）的制造装备例如，处理工具）。例如，制造装备可被配置成沉积一种或多种材料、外延生长一种或多种材料、共形地沉积一种或多种材料、施加硬掩模、施加蚀刻掩模、执行蚀刻、执行平坦化、形成MTJ堆叠和或执行晶片清理过程，等等。[0101]制造系统（例如，执行制造过程928的自动化系统）可具有分布式架构例如，分层结构）。例如，该制造系统可包括根据该分布式架构分布的一个或多个处理器诸如处理器933、一个或多个存储器诸如存储器935、和或一个或多个控制器。该分布式架构可包括控制或发起一个或多个低级系统的操作的高级处理器。例如，高级处理器可包括一个或多个处理器诸如处理器933，并且低级系统可各自包括一个或多个对应控制器或可受其控制。特定低级系统的特定控制器可从特定高级系统接收一个或多个指令例如，命令），可向下级模块或处理工具发布子命令，以及可反过来向该特定高级系统传达状态数据。一个或多个低级系统中的每个低级系统可与一件或多件相应制造装备例如，处理工具相关联。在一特定实施例中，该制造系统可包括分布在该制造系统中的多个处理器。例如，低级系统组件的控制器可包括处理器，诸如处理器933。[0102]替换地，处理器933可以是该制造系统的高级系统、子系统、或组件的一部分。在另一实施例中，处理器933发起或控制与制造系统的多个等级和组件相关联的分布式处理操作。[0103]由此，处理器933可包括处理器可执行指令，其在由处理器933执行时使处理器933发起或控制器件的形成。该器件可包括使用一种或多种掺杂工具诸如，分子束外延生长工具、可流动化学气相沉积FCVD工具、共形沉积工具和或旋涂式沉积工具）形成的一种或多种材料。在器件的制造期间，可以使用一个或多个移除工具诸如化学移除工具、活性气体移除工具、氢活性移除工具、平坦化工具、和或标准清理1型移除工具从该器件移除例如，蚀刻一种或多种材料。[0104]包括在存储器935中的可执行指令可以使得处理器933能够发起或控制本文中所描述的器件或结构的形成。例如，可执行指令可使得处理器933能够发起或控制差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822的形成。管芯936可包括差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822〇[0105]管芯936可被提供给封装过程938,其中管芯936被纳入到代表性封装940中。例如，封装940可包括单个管芯936或多个管芯，诸如系统级封装（SiP安排。封装940可被配置成遵循一个或多个标准或规范，诸如电子器件工程联合委员会JHEC标准。[0106]关于封装940的信息可被分发给各产品设计者诸如经由存储在计算机946处的组件库）。计算机946可包括耦合到存储器990的处理器948,诸如一个或多个处理核。印刷电路板PCB工具可作为处理器可执行指令被存储在存储器990处，以处理经由用户接口944从计算机946的用户接收的PCB设计信息942WCB设计信息942可包括经封装的半导体器件在电路板上的物理定位信息。经封装的半导体器件可对应于封装940。一个或多个半导体器件可被集成在封装940内。例如，差分MTJ对100，器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822可被集成在封装940内。[0107]计算机946可被配置成变换PCB设计信息942以生成数据文件，诸如具有包括经封装的半导体器件在电路板上的物理定位信息、以及电连接诸如迹线和通孔的布局的数据的GERBER文件992。经封装的半导体器件可对应于封装940并且可包括差分MTJ对100，器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822。在其他实施例中，由经变换的PCB设计信息生成的数据文件可具有除GERBER格式以外的格式。[0108]可在板组装过程994处接收GERBER文件992并且GERBER文件992可被用于创建PCB，诸如根据GERBER文件992内存储的设计信息来制造的代表性PCB996。例如，GERBER文件992可被上传到一个或多个机器以执行PCB生产过程的各个步骤。PCB996可填充有电子组件包括封装940以形成代表性印刷电路组装件PCA998。[0109]可在产品制造过程960处接收PCA998并将PCA998集成到一个或多个电子设备中，诸如第一代表性电子设备962和第二代表性电子设备964。作为解说性非限定性示例，第一代表性电子设备962、第二代表性电子设备964、或者这两者可选自下组:移动设备、计算机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理PDA、或者固定位置数据单元，其中集成了差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822。作为另一解说性的非限定性示例，电子设备962和964中的一者或多者可包括移动电话、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元诸如个人数据助理）、启用全球定位系统GPS的设备、导航设备、固定位置数据单元诸如仪表读数装备）、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或其任何组合。应当领会，本公开不限于所解说的这些设备。[0110]因此，包括差分MTJ对100,器件200、300、400、500和600中的一者或多者，和或片上系统器件822的设备可以被制造、处理并纳入到电子设备中，如在解说性过程900中所描述的。关于图1-8所公开的实施例的一个或多个方面可被包括在各个处理阶段，诸如被包括在库文件912、GDSII文件926、以及GERBER文件992内，以及被存储在研究计算机906的存储器910、设计计算机914的存储器918、计算机946的存储器990、在各个阶段诸如在板组装过程994处使用的一个或多个其他计算机或处理器未示出）的存储器处，并且还被纳入到一个或多个其他物理实施例中，诸如掩模932、管芯936、封装940、PCA998、其他产品（诸如原型电路或设备未示出）、或其任何组合。尽管描绘了从物理设备设计到最终产品的各个代表性生产阶段，然而在其他实施例中可使用较少的阶段或可包括附加阶段。类似地，过程900可由单个实体或由执行过程900的各个阶段的一个或多个实体来执行。[0111]技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑框、配置、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、由处理器执行的计算机软件、或这两者的组合。各种解说性组件、框、配置、模块、电路、和步骤已经在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此类功能性是被实现为硬件还是处理器可执行指令取决于具体应用和加诸于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本公开的范围。[0112]结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或这两者的组合来实现。作为解说性示例，可使用硬件诸如使用图8的控制电路系统866来实现图7的方法700的操作。软件模块可驻留在随机存取存储器RAM、磁阻式随机存取存储器MRAM、闪存存储器、只读存储器ΦΟΜ、可编程只读存储器PROM、可擦式可编程只读存储器EPROM、电可擦式可编程只读存储器EEPROM、寄存器、硬盘、可移动盘、压缩盘只读存储器CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的非瞬态存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器，以使得该处理器能从向该存储介质读取写入信息。在替换方案中，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在专用集成电路ASIC中。ASIC可驻留在计算设备或用户终端中。在替换方案中，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在计算设备或用户终端中。[0113]提供前面对所公开的实施例的描述是为了使本领域技术人员皆能制作或使用所公开的实施例。对这些实施例的各种修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的，并且本文中定义的原理可被应用于其他实施例而不会脱离本公开的范围。因此，本公开并非旨在被限定于本文中示出的实施例，而是应被授予与如由所附权利要求定义的原理和新颖性特征一致的最广的可能范围。

权利要求：1.一种装置，包括：差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件；以及所述差分MTJ对的第二MTJ器件，其中，所述第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ器件的第一状态与所述第二MTJ器件的第二状态之差指示与所述差分MTJ对相关联的值。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一状态是所述第一MTJ器件的第一磁阻，其中，所述第二状态是所述第二MTJ器件的第二磁阻，并且其中，所述差指示所述第一磁阻是否大于所述第二磁阻。4.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一MTJ器件进一步包括具有低矫顽力部分的存储层，并且其中，所述第一MTJ器件进一步包括反铁磁AFM层。5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述高矫顽力部分具有大于1000奥斯特Oe的第一矫顽力，并且其中，所述低矫顽力部分具有小于1000e的第二矫顽力。6.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述高矫顽力部分包括钴铁硼CoFeB材料，并且其中，所述低矫顽力部分包括铁镍FeNi材料。7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ器件经由第一晶体管耦合到第一源线，并且其中，所述第二MTJ器件经由第二晶体管耦合到第二源线。8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件经由共用晶体管耦合到共用源线。9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件各自包括共用铁磁FM耦合层和共用反铁磁AFM层。10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述共用AFM层经由共用晶体管耦合到共用源线。11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件各自对应于面内磁各向异性磁性隧道结iMTJ器件。12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件各自对应于垂直磁各向异性磁性隧道结PMTJ器件。13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括磁阻式随机存取存储器MRAM器件，所述MRAM器件包括所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件。14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述MRAM器件是热辅助切换自旋矩转移TAS-STTMRAM器件。15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述MRAM器件包括控制电路系统，所述控制电路系统被配置成:将指示所述第一MTJ器件的第一状态的第一电流与指示所述第二MTJ器件的第二状态的第二电流进行比较，以确定由所述差分MTJ对存储的值。16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述MRAM器件包括被配置成存储参考状态的参考器件，其中，所述控制电路系统被配置成:存取所述参考器件以确定所述参考状态，并且其中，所述控制电路系统包括反相器电路系统，所述反相器电路系统被配置成：响应于所述参考状态的变化而将所述值反相。17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，将所述值反相响应于所述MRAM器件暴露于强磁场而实现数据恢复。18.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括选自以下各项的电子设备:移动设备、计算机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理PDA、或固定位置数据单元，其中所述电子设备内集成有所述差分MTJ对。19.一种方法，包括：发起感测操作以确定第一磁性隧道结MTJ器件的第一状态以及第二MTJ器件的第二状态，其中，发起所述感测操作包括:生成通过所述第一MTJ器件的感测层的电流，所述感测层包括高矫顽力部分；以及将所述第一状态与所述第二状态进行比较，以确定与所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件相关联的值。20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，发起所述感测操作进一步包括:在所述第二MTJ器件处生成第二电流，并且其中，所述电流指示所述第一状态并且所述第二电流指示所述第二状态。21.如权利要求19所述的方法，进一步包括:在发起所述感测操作之前，通过在所述第一MTJ器件处生成所述第一状态并通过在所述第二MTJ器件处生成所述第二状态，在包括所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件的差分MTJ对处写入所述值。22.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一状态对应于所述第一MTJ器件的第一磁阻，并且其中，所述第二状态对应于所述第二MTJ器件的第二磁阻。23.如权利要求22所述的方法，其特征在于，如果所述第二磁阻大于所述第一磁阻，则所述值对应于逻辑〇比特值，并且其中，如果所述第一磁阻大于所述第二磁阻，则所述值对应于逻辑1比特值。24.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述方法是由包括所述第一MTJ器件和所述第二MTJ器件的热辅助切换自旋矩转移磁阻式随机存取存储器TAS-STTMRAM器件的控制电路系统来执行的。25.-种装备，包括：用于存储差分磁性隧道结MTJ对的第一磁状态的装置；以及用于存储所述差分MTJ对的第二磁状态的装置，其中，用于存储所述第一磁状态的装置包括具有高矫顽力部分的感测层。26.如权利要求25所述的装备，其特征在于，所述第一磁状态与所述第二磁状态之差指示与所述差分MTJ对相关联的值。27.如权利要求25所述的装备，其特征在于，进一步包括选自以下各项的电子设备:移动设备、计算机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理PDA、或固定位置数据单元，其中所述电子设备内集成有所述差分MTJ对。28.-种存储可由处理器执行的指令的计算机可读介质，所述计算机可读介质包括：差分磁性隧道结MTJ对的第一MTJ器件；以及所述差分磁性隧道结MTJ对的第二MTJ器件，其中，所述第一MTJ器件包括具有高矫顽力部分的感测层。29.如权利要求28所述的计算机可读介质，其特征在于，所述第一MTJ器件的第一状态与所述第二MTJ器件的第二状态之差指示单个比特值。30.如权利要求29所述的计算机可读介质，其特征在于，所述第一状态是所述第一MTJ器件的第一磁阻，其中，所述第二状态是所述第二MTJ器件的第二磁阻，并且其中，所述差指示所述第一磁阻是否大于所述第二磁阻。

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