申请/专利权人:西安邮电大学
申请日:2019-08-28
公开(公告)日:2020-01-10
公开(公告)号:CN110676171A
主分类号:H01L21/336(20060101)
分类号:H01L21/336(20060101);H01L29/207(20060101)
优先权:
专利状态码:失效-发明专利申请公布后的驳回
法律状态:2024.02.23#发明专利申请公布后的驳回;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.10#公开
摘要:本发明公开了一种基于InAlAs材料的MOS器件制备方法,包括:a选取一定晶向的GaAs衬底;b利用MBE工艺在所述GaAs衬底上生长InAlAs外延层;c在所述InAlAs外延层上淀积高k氧化层;d在所述高k氧化层上依次淀积栅金属TiPtAu;e在所述GaAs衬底背面依次淀积欧姆接触金属NiAuGeNiAu,以完成MOS器件的制作。本发明还公开了一种基于InAlAs材料的MOS器件器件结构,其自下而上依次包括:欧姆接触金属1、GaAs衬底2、InAlAs外延层3、高k氧化层4以及栅金属电极5。本发明提供的MOS器件制备方法可有效降低界面态密度,减少高kInAlAs界面缺陷及栅极漏电流,提高器件的可靠性。
主权项:1.一种基于InAlAs材料的MOS器件制备方法,其特征在于,包括:a选取一定晶向的GaAs衬底;b利用MBE工艺在所述GaAs衬底上生长InAlAs外延层;c在所述InAlAs外延层上淀积高k氧化层;d在所述高k氧化层上依次淀积金属TiPtAu;e在所述GaAs衬底背面依次淀积欧姆接触金属NiAuGeNiAu,以完成MOS器件的制作。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 西安邮电大学 一种基于InAlAs材料的MOS器件及其制备方法
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