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【实用新型】MOS开启电路_青岛中科英泰商用系统股份有限公司_201921466515.5 

申请/专利权人:青岛中科英泰商用系统股份有限公司

申请日:2019-09-04

公开(公告)日:2020-03-31

公开(公告)号:CN210225370U

主分类号:H03K17/081(20060101)

分类号:H03K17/081(20060101);H03K17/687(20060101);G05B19/042(20060101)

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2020.03.31#授权

摘要:一种MOS开启电路,包括电容、二极管和MOS管;第一电容一端与单片机的IO端口相连,另一端连接二极管的正极;第二电容一端连接二极管的负极,另一端接地;第一MOS管的源极和漏极分别连接电源输入端和电源输出端,第一MOS管的栅极连接第二MOS管的漏极;第二MOS管的栅极与二极管的负极相连,第二MOS管的源极接地。MOS开启电路在单片机正常工作时能够电容的充放电,保持MOS管的导通,保证电源输入与输出之间的连接,使设备正常供电工作。并且能够在单片机中软件运行出现bug而持续输出高电平时,使第一电容充电结束行程开路,进而使第二电容结束放电将第二MOS管关断,最终使第一MOS管关断,切断电源输入与输出之间的连接,停止供电,避免长时间通电造成过热烧坏。

主权项:1.一种MOS开启电路,其特征在于,包括电容、二极管和MOS管;所述电容包括第一电容和第二电容;所述第一电容一端与单片机的IO端口相连,另一端连接二极管的正极;所述第二电容一端连接二极管的负极,另一端接地;所述MOS管包括第一MOS管和第二MOS管;所述第一MOS管的源极和漏极分别连接电源输入端和电源输出端,所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的漏极;所述第二MOS管的栅极与二极管的负极相连,所述第二MOS管的源极接地。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 青岛中科英泰商用系统股份有限公司 MOS开启电路

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