申请/专利权人：深圳市中兴微电子技术有限公司

申请日：2018-12-26

公开（公告）日：2020-07-03

公开（公告）号：CN111371430A

主分类号：H03H11/16(20060101)

分类号：H03H11/16(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.08.08#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2020.07.03#公开

摘要：一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法。包括：通过第一电流源对第一基准输入激励进行调节后，经过第一矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第一栅宽控制电路，经过第一栅宽控制电路的调节后，生成第一输出信号；通过第二电流源对第二基准输入激励进行调节后；经过第二矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第二栅宽控制电路，经过第二栅宽控制电路的调节后，生成第一输出信号；对所述第一输出信号和所述第二输出信号进行矢量合成。本申请能够在保证移相器增益恒定的同时，大幅降低矢量合成器功耗，同时减小了相移值对于电路失配的敏感度，提高了移相器的移相精度。

主权项：1.一种矢量合成移相器，其特征在于，包括：第一矢量合成支路、第二矢量合成支路和合成器，所述第一矢量合成支路的输入端、所述第二矢量合成支路的输入端分别连接于第一基准输入激励和第二基准输入激励，所述第一矢量合成支路的输出端与所述第二矢量合成支路的输出端连接合成器；所述第一矢量合成支路包括：第一电流源、第一矢量方向控制电路和第一栅宽控制电路；所述第一基准输入激励经过所述第一电流源的调节后，经过第一矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第一栅宽控制电路，经过第一栅宽控制电路的调节后，输出至合成器；所述第二矢量合成支路包括：第二电流源、第二矢量方向控制电路和第二栅宽控制电路；所述第二基准输入激励经过所述第二电流源的调节后，经过第二矢量方向控制电路后确定矢量方向，输出至第二栅宽控制电路，经过第二栅宽控制电路的调节后，输出至合成器；所述合成器，对所述第一矢量合成支路的输出信号和所述第二矢量合成支路的输出信号进行矢量合成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市中兴微电子技术有限公司 一种矢量合成移相器和矢量合成移相方法

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