申请/专利权人：济南晶正电子科技有限公司

申请日：2020-04-30

公开（公告）日：2020-08-18

公开（公告）号：CN111546136A

主分类号：B24B1/00(20060101)

分类号：B24B1/00(20060101);H01L21/304(20060101);H01L21/463(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.12.14#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开

摘要：本申请公开了一种无解理面晶片端面抛光方法，所述方法采用两步研磨结合两步抛光的方法对无解理面晶片的端面进行抛光，其中，两步研磨包括粗研磨和细研磨，两步研磨均使用砂纸作为磨料，即，本申请提供的方法能够控制研磨方向和研磨程度，避免研磨颗粒嵌入待研磨端面或者对待研磨端面造成划伤，并且，本申请在细抛光步骤前设置粗抛光步骤从而形成两步抛光，能够提高抛光效率，使细抛光的时间能够缩短33％甚至50％以上，提高抛光效率，并且，所得无解理面晶片端面的粗糙度小于3nm，能够满足后续使用的需求。

主权项：1.一种无解理面晶片端面抛光方法，其特征在于，所述方法包括：使用第一砂纸对无解理面晶片端面进行粗研磨，获得粗磨产品；使用第二砂纸对所述粗磨产品的端面进行细研磨，获得细磨产品；对所述细磨产品的端面进行粗抛光，获得粗抛产品；对所述粗抛产品的端面进行细抛光，获得抛光产品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 济南晶正电子科技有限公司 一种无解理面晶片端面抛光方法

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