申请/专利权人：北京世纪金光半导体有限公司

申请日：2018-06-14

公开（公告）日：2020-10-09

公开（公告）号：CN111755497A

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L21/329(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.08.19#授权;2020.10.30#实质审查的生效;2020.10.09#公开

摘要：本发明公开了一种功率器件JTE和掩埋FLR复合终端结构及其制作方法。该新型终端结构主要由三种结构组合而成：在N型（或P型）外延耐压层的结终端区域的上层是与外延层相反掺杂的P型层（外延是P型时则为N型），同时在上层P型层中有离散的多个沟槽环，沟槽中填入了SiO2或其他High‑K介质；在每个沟槽的正下方还有与外延层相反掺杂的P型环掩埋场限环结构，这些P型环的上部与上层的P型层相连接，由此构造成上层是JTE结构，下层是掩埋场限环FLR的复合结构耐压终端。该复合终端结构工艺简单，对JTE浓度或FLR环宽、间距的工艺偏差以及表面电荷不敏感，同时能大幅提高器件终端的耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积。

主权项：1.一种JTE和掩埋FLR复合终端结构功率器件；自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；其特征在于；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区与所述JTE的一端连接；所述JTE的厚度0.3um到1.5um；JTE设置有一个或多个沟槽，所述沟槽的深度小于JTE的厚度的23；沟槽的底部设置有宽度与沟槽宽度一样的FLR。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京世纪金光半导体有限公司 一种JTE和掩埋FLR复合终端结构功率器件及其制备方法

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