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申请/专利权人：燕山大学
申请日：2019-11-20
公开（公告）日：2020-11-20
公开（公告）号：CN110867486B
主分类号：H01L29/737(20060101)
分类号：H01L29/737(20060101);H01L29/267(20060101);H01L21/331(20060101)
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2020.11.20#授权;2020.03.31#实质审查的生效;2020.03.06#公开
摘要：本发明提供一种高压太赫兹应变SiGeInGaP异质结双极晶体管及其制备方法。InGaP材料具备InP材料高的载流子迁移率和GaP材料宽的禁带宽度特性，因此本发明利用InGaP作为集电区，可以同时提高器件的频率和功率特性，使得该器件可以实现太赫兹频段芯片的系统集成，进一步的本发明利用“能带工程”的优势，采用In1‑xGaxPx＝0～1作为SiGe‑HBT的集电区材料，适当的选择In和Ga的组分摩尔比x，使得其和亚集电区材料SiGe具有相同的晶格常数，可以有效地提高InGaP和SiGe材料的界面特性。
主权项：1.一种高压太赫兹应变SiGeInGaP异质结双极晶体管，其特征在于，所述双极晶体管选取晶向为001的N型掺杂的单晶Si衬底；在所述单晶Si衬底上外延一层Ge组分渐变的N型SiGe层，作为亚集电区，并在所述SiGe层右侧区域进行N+掺杂；在所述SiGe层表面淀积一层1-2微米厚的SiO2层以定义有源区的位置；在所述有源区依次外延作为集电区的N型In1-xGaxP层，作为基区的P型SiGe层和本征Si帽层；在所述1-2微米厚的SiO2层和本征Si帽层表面依次淀积氮化物层和氧化物层，刻蚀所述氮化物层和氧化物层，在刻蚀后的氮化物层和氧化物层表面再次淀积氧化层并刻蚀，形成边墙氧化层；在所述边墙氧化层上淀积多晶硅作为发射区；在上述得到的器件表面外延一层氧化层，作为发射区的表面覆盖氧化层，刻蚀所述表面覆盖氧化层以及所述氮化物层上的氧化物层，刻蚀氮化物层，在氮化物所在位置选择性外延多晶硅层并刻蚀，作为非本征基区；淀积非本征基区的边墙氧化层；分别刻蚀发射区、非本征基区和亚集电区，并淀积金属硅化物，以形成发射极、基极和集电极接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 燕山大学 高压太赫兹应变SiGe/InGaP异质结双极晶体管及其制备方法
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