申请/专利权人：晋江三伍微电子有限公司

申请日：2023-01-16

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117879505A

主分类号：H03F1/32

分类号：H03F1/32;H03F1/30;H03F1/56;H03F3/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种基于IMD3抵消技术的高线性InGaPGaAsHBT功率放大器。该功率放大器采用两组GaAsHBT功率放大电路并联，两者的偏置电路各经一个镇流电阻与旁路电路的并联电路与HBT的基极相连，通过调整镇流电阻、旁路电路使得两组并联放大电路输出的IMD3相位相差180°，而基波相位基本相同，令其IMD3相互抵消起到提高功放线性度的作用。由于ACLR的恶化主要来自于IMD3，故使用上述的IMD3抵消法可以提高功放的线性输出功率与PAE。同时在输出匹配网络中通过设计谐波陷阱对二次、三次谐波进行抑制，其中二次谐波采用高阶抑制方式。本发明功率放大器应用于短距离无线通信，在复杂的信号调制技术下，能以高保真度对具有高峰均比信号进行放大，满足无线通信系统严格的线性度规范。

主权项：1.一种基于IMD3抵消技术的高线性InGaPGaAsHBT功率放大器，其特征在于，包括：输入匹配电路、驱动级基极偏置电路、驱动级并联晶体管放大电路、级间匹配电路、功率级基极偏置电路、功率级并联晶体管放大电路、谐波抑制输出匹配电路；输入匹配电路，用于将功率放大器输入阻抗匹配至50欧姆源阻抗，保证输入信号完整传输至功率放大器；驱动级基极偏置电路，用于给驱动级晶体管提供偏置电流，其输出端与驱动级晶体管基极相连，实现温度补偿特性，同时调整驱动级的AM-AM特性，使其在大功率输入下表现出的增益膨胀对功率级的增益压缩进行补偿，且加入线性化器改善整体电路的AM-PM失真；驱动级并联晶体管放大电路，对输入信号进行放大；级间匹配电路，用于将功率级输入阻抗匹配至驱动级最佳负载阻抗的共轭，保证驱动级输出信号有效的传输至功率级进行放大；功率级基极偏置电路，由电流镜构成，给功率级晶体管提供稳定的直流偏置，在输入功率变化的情况下稳定其发射结压降，同时具有温度补偿的作用，还通过控制功率级基极偏置电路的镇流电阻、旁路电容和旁路电阻使得两组并联的驱动级并联晶体管放大电路和功率级并联晶体管放大电路输出的IMD3相位相差180°，基波相位基本相同；功率级并联晶体管放大电路，对输入信号进行二次放大；谐波抑制输出匹配电路，实现基波阻抗匹配作用的同时对二次、三次谐波进行抑制，进一步提升放大器的线性度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晋江三伍微电子有限公司 基于IMD3抵消技术的高线性InGaP GaAs HBT功率放大器

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