申请/专利权人：联发科技股份有限公司

申请日：2017-06-06

公开（公告）日：2021-02-19

公开（公告）号：CN107707271B

主分类号：H04B1/16(20060101)

分类号：H04B1/16(20060101);H03F3/45(20060101)

优先权：["20160809 US 62/372,336","20170215 US 15/433,573"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.19#授权;2018.03.16#实质审查的生效;2018.02.16#公开

摘要：本发明提供了线路接收器以及线路接收器的驱动方法。其中，本发明提供的一种线路接收器可包括：缓冲器，用于接收输入信号，所述缓冲器具有跨导增益；反馈电路，耦接于所述缓冲器，用于放大所述缓冲器的所述跨导增益；镜像电路，耦接于所述反馈电路，用于产生镜像电流，所述镜像电流为所述缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像电流；增益级，耦接于所述镜像电路，用于根据所述镜像电流产生输出信号。实施本发明可增加线路接收器的线性度并降低线路接收器对温度及制程变异的敏感度。

主权项：1.一种线路接收器，其特征在于，包括：缓冲器，用于接收输入信号，所述缓冲器具有跨导增益；反馈电路，耦接于所述缓冲器，用于放大所述缓冲器的所述跨导增益；镜像电路，耦接于所述反馈电路，用于产生镜像电流，所述镜像电流为所述缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像；增益级，耦接于所述镜像电路，用于根据所述镜像电流产生输出信号；其中，所述缓冲器包括配置为源极跟随器的第一晶体管，所述反馈电路包括第二晶体管，其中，所述第二晶体管的漏极耦接于所述第一晶体管的源极；其中，所述反馈电路还包括耦接于所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的漏极之间的反馈阻抗元件，所述反馈阻抗元件使所述第一晶体管和所述第二晶体管同时在饱和区偏置。

全文数据：线路接收器以及线路接收器的驱动方法技术领域[0001]本发明通常涉及接收器技术领域，更特别地，涉及线路接收器及线路接收器的驱动方法。背景技术[0002]电子工业中，使用线路接收器linereceiver接收通过传输线传输的接收信号。线路接收器的类型包括电压模式驱动器和电流模式驱动器。发明内容[0003]本发明提供线路接收器以及线路接收器的驱动方法，可增加线路接收器的线性度并降低线路接收器对温度及制程变异的敏感度。[0004]本发明的一些实施例涉及线路接收器。该线路接收器包括:缓冲器，用于接收输入信号，所述缓冲器具有跨导增益;反馈电路，耦接于所述缓冲器，用于放大所述缓冲器的所述跨导增益;镜像电路，耦接于所述反馈电路，用于产生镜像电流，所述镜像电流为所述缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像电流;增益级，耦接于所述镜像电路，用于根据所述镜像电流产生输出信号。[0005]本发明的一些实施例涉及线路接收器的驱动方法，其可包括:使用缓冲器接收输入信号，其中，所述缓冲器具有跨导增益;使用耦接于所述缓冲器的反馈电路放大所述缓冲器的所述跨导增益;使用镜像电路来产生镜像电流，所述镜像电流为所述缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像;使用增益级接收所述镜像电路产生的所述镜像电流，并基于所述镜像电流产生输出信号。[0006]由上述列举的方案可知，本发明实施例通过反馈电路放大缓冲器的跨导增益，此外本发明实施例使用镜像电路提供主要依赖被动元件的增益，由此增加线路接收器的线性度并降低线路接收器对温度和制程变异的敏感度。附图说明[0007]图1为根据一些非限制性的实施例的通信系统的模块图；[0008]图2为根据本发明的一些非限制性的实施例的包括多个晶体管的接收机的电路图；[0009]图3根据一些非限定的实施例描述用于提供可调的增益的接收机的电路；[0010]图4为根据本发明的一些非限定的实施例的用于操作在差分模式下的接收机的电路图；[0011]图5为根据本发明的一些非限定的实施例的用于操作在差分模式下的接收机的电路图。具体实施方式[0012]现在将详细给出参考信息至本发明的一些实施例，这些实施例中的示例在下面的附图中来说明。[0013]在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”及“包括”为一开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大体上”是指在可接受的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。此外，“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电性连接于该第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电性连接至该第二装置。以下所述为实施本发明的较佳方式，目的在于说明本发明的精神而非用以限定本发明的保护范围，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。[0014]本发明的发明人发现，由于集成的晶体管的尺寸减小了，（例如，由于互补型金属氧化物半导体制造节点减少），设计线路接收器的难度越来越大。晶体管越小，就越难处理电压应力voltagestress也即，工作电压与额定电压的比值），因此，需要对包括这样的晶体管的电路的最大电压进行限定。作为电源电压减小的结果，线路接收器的线性度降低。导致该降低的线性度的其中一个原因是，很难使用低的电源电压例如，低于1伏在线性区域例如，场效应晶体管的饱和区域或双极型晶体管的活动区域偏置这些晶体管。[0015]为了克服这一缺陷，一些传统的线路接收器使用多个串联连接的信号缓冲器。这些提供高的输入阻抗和低的输出阻抗的缓冲器在低电源电压下运行。但是，使用多个缓冲器对线性度和功率消耗形成严重的限制，并对制程和温度变异非常敏感。此外，一些传统类型的缓冲器，例如，电流模式驱动器，没有独立的功能模块用于控制频率响应的增益gain。因此，增加线路接收器的增益将导致线路接收器的带宽的降低，反之亦然。因此，线路接收器的设计者必须做出设计折中打算。[0016]其他一些传统的线路接收器通过将一个芯片分离为两部分来处理小的晶体管不能容忍大的电源电压的缺陷，所述两部分的其中一部分包括模拟电路，用于接收高的电源电压（例如，等于或大于1伏），另一部分包括数字电路，用于接收低电源电压例如，小于1伏）。由于接收到大的电源电压，所述模拟电路提供期望的线性度。另一方面，由于低的电源电压，所述数字电路可在不导致应力的情形下处理数字信号。尽管该解决方案提供了期望的线性度，但是会增加复杂度，因此使用多个电源电压对接收器供电并不可取。[0017]本发明的发明人研发了一种线路接收器，也可简称为接收器，可在至少克服现有技术的解决方案的一部分缺陷的前提下提供期望的线性度。特别地，发明人己经意识到可通过增加用于接收输入信号的缓冲器的跨导（trans-conductance增益的方式增加线性度。在一些实施例中，可提供一反馈电路耦接于所述缓冲器以增加所述跨导增益。在此情形下，最终的跨导增益可与所述缓冲器的跨导增益和所述反馈电路的跨导增益的乘积成正比。在一些实施例中，为了进一步增加所述跨导增益也即，最终的跨导增益），反馈电路可耦接至具有高阻抗的节点。[0018]发明人还意识到，通过增加所述缓冲器的跨导增益，线路接收器对温度和制程变异的敏感度降低。实际上，在一些实施例中，一个大的跨导可使线路接收器具有主要依赖被动元件例如，电阻器）的增益。相较于主动元件例如，晶体管），被动元件的特性不易受温度和制程变异的影响而波动。最终，主要依赖被动元件的增益也将经历更少的波动。在一些实施例中，为了提供主要依赖被动元件的增益，可使用镜像电路。所述镜像电路可耦接于所述反馈电路并具有与所述反馈电路的跨导增益大致上相当的跨导增益例如，为反馈电路的跨导增益的75%-125%之间，或90%-110%之间，或95%-105%之间，或99%-101%之间）。在此情形下，流经负载的电流和所述线路接收器最终的增益可大致上与所述主动元件不相关。[0019]图1为根据一些非限制性的实施例的通信系统的模块图。通信系统1〇〇可包括发射机101和接收机1〇2。发射机101可通过通信信道耦接于接收机1〇2,所述通信信道例如为线缆例如，双胞线或同轴电缆和或印刷电路板上的金属轨迹。可使用各种可选的通信信道。发射机101可以大于lOGbs的速率、或者，大于20Gbs的速率、或者，大于30Gbs的速率、或者，大于40GbS的速率、或者，大于5〇Gbs的速率、或者大于任意其他合适的值的速率发射数据。在一些实施例中，发射机101可运行在40Gbs-80Gbs的速率之间，或者运行在该区间范围的任意子区间内。[0020]接收机102可用于通过所述通信信道接收所述发射机1〇1发射的信号。在一些实施例中，接收机102可包括缓冲器104、反馈电路106、镜像电路108以及增益级110。缓冲器104用于接收发射机101提供的信号。在一些实施例中，缓冲器104具有大的输入阻抗例如，大于100千欧，或者大于500千欧，或者大于1兆欧和小的输出阻抗例如，小于1〇〇〇欧，或者小于100欧，或者小于10欧）。在此情形下，缓冲器104可运行为一个阻抗变压器，以便阻止所述缓冲器装载的负载过剩。在一些实施例中，缓冲器104由源极跟随器实现。[0021]反馈电路106可以任意适宜的方式耦接于缓冲器104。在一些实施例中，反馈电路1〇6可耦接于缓冲器104的输出端和缓冲器104的具有大阻抗例如，大于5千欧，或者大于50千欧，或者大于100千欧）的一个节点之间。在其他实施例中，反馈电路106可耦接于缓冲器104的输入端和输出端之间。反馈电路106可用于为缓冲器104的跨导增加任意适宜的值。例如，跨导增益可使用1-1000,或者1-100,或者1-10,或者10-100,或者100-1000的乘法因子进行扩大。在一些实施例中，所述乘法因子可与反馈电路106的跨导成正比。反馈电路106可用于偏置缓冲器104。例如，反馈电路106可在一个线性范围（例如，当缓冲器104由场效应晶体管实现时，该线性范围为饱和区域；当缓冲器104由双极型晶体管实现时，该线性范围为活动区域）内偏置缓冲器104。[0022]镜像电路108可以任意适宜的方式耦接于缓冲器104和或反馈电路106。在一些实施例中，镜像线路的跨导增益大体上与反馈电路的跨导增益相当（例如，为反馈电路的跨导增益的75%-125%之间，或90%-110%之间，或95%-105%之间，或99%-101%之间）。镜像电路可用于产生与缓冲器104的阻抗元件上流经的电流大体上相当的电流也即，镜像电路可用于产生镜像电流，且所述镜像电流为缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像）。如后续将描述的，在此情形下，镜像电路108提供的电流可主要依赖被动元件例如，电阻器）。[0023]增益级110可包括负载。在一些实施例中，所述负载可包括电阻元件。所述电阻元件可以任意适宜方式实现，包括电阻器和或有效负载activeload。可使用具有的尺寸可提供期望电阻的半导体材料的掺杂区域实现所述电阻器。所述负载可接收镜像电路1〇8产生的电流。在一些实施例中，增益级110可包括用于调整流经所述负载的电流量的电路。在这些实施例中，增益级110可包括多个并联连接的驱动器。这些驱动器可被打开（turnon或者关闭（turnoff来提供期望的输出电流，并由此得到期望的增益。[0024]在一些实施例中，可使用晶体管来实现图1中所示的接收机。可使用半导体制造技术将所述晶体管安装在单块基板上。在一些实施例中，所述晶体管可包括场效应晶体管，例如，金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor，MOSFET，结型场效应晶体管（JunctionFieldEffecttransistor，JFET。在其他一些实施例中，所述晶体管可包括双极型晶体管，例如，双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistors，BJT。在其他另一些实施例中，可米用混合配置。在一些实施例中，可使用小于14纳米，或小于12纳米，或小于10纳米，或小于8纳米，或小于6纳米的制造节点来制造所述晶体管。由于这些晶体管的尺寸，这些晶体管可用于接收小于一定阈值例如，小于或等于1.2伏，或者小于或等于1伏，或者小于或等于1.1伏，或者小于或等于0.9伏，或者小于或等于0.8伏，或者小于或等于0.7伏，或者小于或等于0.6伏，或者小于或等于0.5伏，或者小于任意适宜的值）的电源电压。如果所述晶体管接收比所述阈值大的电源电压，它们会经历压力并且最终会被损坏。[0025]图2为根据本发明的一些非限制性的实施例的包括多个晶体管的接收机的电路图。接收机200可包括缓冲器204,缓冲器204可为图1中的缓冲器104。在一些实施例中，缓冲器204可包括多个源极跟随器。例如，缓冲器204可包括晶体管M2,其可为共漏极（common-drain配置。在一些实施例中，晶体管M2可为N沟通金属氧化物晶体管N-ChannelMetal-Oxide-Semiconductor，丽0S。在一些实施例中，晶体管M2包括耦接于节点“IN”的栅极，耦接于节点“H”的漏极，以及耦接于节点“L”的源极。晶体管此可通过节点“IN”接收发射机101提供的输入信号。作为响应，晶体管M2可在节点“L”提供电压。在一些实施例中，晶体管M2可展现大体上一致的电压增益。最终，节点“L”处的电压Vl可大体上等于节点“IN”处的电压Vin。当在饱和区偏置，晶体管此可具有11毫欧-1100毫欧的跨导增Sgm2。[0026]在一些实施例中，缓冲器204可包括阻抗元件。所述阻抗元件可耦接于晶体管M2的源极。在一些实施例中，所述阻抗元件可包括电阻元件。例如，所述阻抗元件可包括电阻rd。在一些实施例中，所述阻抗元件可包括电容元件，例如所述阻抗元件可包括电容CPEAKINC。在一些实施例中，CPEAKIN；可为可变电容器例如，变容二极管）。在一些实施例中，通过改变电容器Cpeaking的电容和或电阻器rd的电阻，缓冲器204的频率响应以及最终接收机200的频率响应将变化。例如，通过改变上述电容或电阻中至少一个，缓冲器204的截止频率（例如，3dB-频率将被改变。[0027]在一些实施例中，缓冲器204可包括晶体管M3。晶体管M3可以任意适宜的方式耦接于晶体管M2。例如，晶体管m3包括耦接于晶体管M2的漏极的漏极，耦接于电源电压VDD的源极，以及用于接收电压Vb的栅极。在一些实施例中，电源电压Vdd可小于1伏。在一些实施例中，电压Vb可使晶体管M3饱和。晶体管M3可以可在节点“H”提供高阻抗例如，大于5千欧，或者大于5〇千欧，或者大于100千欧）的方式耦接于晶体管M2。在一些实施例中，当节点“H”连接至晶体管Ms的漏极，它的阻抗可与晶体管此的漏极阻抗成正比。[0028]发明人已经认识到，当接收机200的负载耦接于缓冲器204的输出端例如，耦接于节点“L”的端），接收机的增益将与晶体管M2的跨导gm2成正比。由于制程和温度变异可导致波动，接收机200的增益也将展现波动。由于可能对输出信号产生噪声，这样的情形是不期望的。此外，接收机200的线性度可被低电源电压能力限制。因此，当提供低电源电压，处于饱和区的偏置晶体管M2和M3将被挑战。[0029]为了避免这些问题，可使用反馈电路206。反馈电路206可为图1中的反馈电路106。在一些实施例中，反馈电路2〇6可包括一个或多个晶体管。例如，反馈电路206可包括晶体管Mi，其可为NMOS晶体管。晶体管见可以任意适宜的方式耦接于缓冲器204。例如，晶体管亂可包括耦接于晶体管M2的源极的漏极，耦接于参考端例如，接地端）的源极，以及耦接于晶体管M2的漏极的栅极。[0030]在一些实施例中，为确保晶体管.、M2以及M3同一时间在饱和区偏置，晶体管Mi的栅极可通过反馈阻抗元件耦接至晶体管M2的漏极。所述反馈阻抗元件可用于在它的两端提供期望的电压降，由此为晶体管施12以及M3提供期望的偏置电压。通过这种方式，所述三个晶体管可同时在饱和区偏置，由此改善接收机200的线性度。在一些实施例中，所述反馈阻抗元件可包括电阻元件，例如，电阻器Rf。在一些实施例中，所述反馈阻抗元件可包括电容元件，例如，电容器。在一些实施例中，电容器CF为可变的。一般期望具有可变的电容器，因为，这样的电容器可用于适当地调节接收机的带宽。电流发生器I。可耦接于节点“X”。在此配置下，耦接于所述反馈电路的缓冲器的整体跨导增益将被显著增加。例如，在一些实施例中，所述整体的跨导增益可表示为：[0031]gmb_ted=gm2l+gml*r〇[0032]其中，gm2为晶体管M2的跨导，gml为晶体管此的跨导，r0为节点“H”处的阻抗。[0033]当在节点“IN”接收到输入电压Vin，节点“X”处的中间点电压Vx可通过如下式子表示：[0034]Vx=-Vingm2*r0l+RD*gmb〇〇Sted=-Vingm2*r0l+RD*gm2l+gml*r0[0035]如果乘积gml*r0»l例如，大于10，VX可近似表示为：[0036]Vx=-Vingm2*r0l+RD*gm2*gml*r0[0037]如果乘积RD*gm2*gml*r〇»1例如，大于10，VX可近似表示为：[0038]Vx=-VinRD*gml[0039]镜像电路208可作用为图1中的镜像电路108。在一些实施例中，镜像电路208可用于接收电压Vx，并提供几乎不依赖于gml的电流。在一些实施例中，镜像电路208可包括晶体管M4，其可以任意适宜的方式親接于反馈电路206。例如，晶体管M4可包括親接于晶体管Mi的源极的源极，耦接于晶体管此的栅极的栅极。按照这种方式，晶体管MjPM4可具有相同的栅极-源极电压，并最终具有相同的跨导增益。作为对接收到的Vx的响应，晶体管M4可产生一电流io他即，镜像电流流经晶体管M4的源极和漏极。所述电流iQ可表示为：[0040]i〇=-gm4*Vx[0041]其中，gm4为晶体管M4的跨导。在gm4=gml的实施例中，所述电流可表示为：[0042]i〇=-gm4*Vx=-gml*Vx=VinRD[0043]如公式所示，所述电流i〇约等于流经电阻器RD的电流例如，为流经电阻器RD的电流75%-125%之间，或90%-110%之间，或95%-105%之间，或99%-101%之间）。[0044]增益级210可作用为图1中的增益级110。在一些实施例中，增益级210可包括负载。所述负载可包括电阻元件，例如电阻器Rl。所述负载可以任意适宜的方式耦接于镜像电路208。例如，电阻器RL可耦接于晶体管M4的漏极。节点“OUT”处的交流电压Vc^t可表示为：i〇*RL=Vin*RLRd。最终，接收机200的增益可等于Av=V〇utVin=RLRD。如公式所示，所述增益主要依赖电阻率，因此对制程及温度变异不敏感。应当理解的是，可独立地控制接收机200的增益和频率响应。可通过改变电阻器Cpeaking的电容值和或电阻器Rd的电阻值来调节所述接收机的频率响应。然而，Rd的变化也可改变接收机的增益，此外，Rl的变化也可改变接收机的增益。因此，通过为Rd和Rl设置期望的值，则可独立地设置所述增益和所述频率响应。[0045]在一些实施例中，增益级210可包括晶体管，操作为开关。例如，晶体管紙可耦接于晶体管M4和负载之间。晶体管Ms可允许或阻止电流i〇到达负载。例如，依据栅极处的信号的电压，晶体管施可设置为开启状态导通状态或截止状态高阻抗状态。[0046]在一些实施例中，接收机的增益为可选择性地或者额外地通过控制流经负载的电流来控制。图3根据一些非限定的实施例描述用于提供可调的增益的接收机的电路。接收机300可包括多个晶体管M4和多个晶体管M5。多个晶体管M4中的每一个可包括耦接于晶体管出的源极的源极，耦接于晶体管逾的栅极的栅极。按照这样的方式，每一个晶体管M4可与晶体管施具有几乎相同的跨导增益。多个晶体管M5中的每一个可包括耦接于相应的晶体管M4的漏极的源极。按照这样的方式，每一个晶体管施可接收电流io。[0047]可通过多个控制信号Si，S2，…Sn控制多个晶体管此的状态。所述控制信号可用于使相应的晶体管Ms处于开启状态或截止状态。按照这样的方式，可控制流经负载的电流量，且所述电流量依赖于处于开启状态的晶体管M5的数量。最终，可按照期望调整接收机300的增益。[0048]图2-图3示出设计为操作在单端模式下的接收机。然而，应当理解的是，本发明描述的接收机的类型可选择性地设计为操作在差分模式下。在一些实施例中，差分接收机可包括多于一个的单端接收机例如，接收机200或300。图4为根据本发明的一些非限定的实施例的用于操作在差分模式下的接收机的电路图。接收机400可包括一对接收机300。接收机400可用于接收差分输入信号，例如Vim-Vip，并产生差分输出信号，例如Vqm-Vqp。输出信号的幅度可依赖接收机300提供的增益。[0049]接收机400可包括电路元件，用于控制共模commonmode输出信号。例如，接收机400可包括电阻器Rl、放大器402以及晶体管M1G和Mu。这样的电路元件可用于检测输出信号的共模，并将共模设置为期望的等级。例如，所述共模可设置为一个预定的值，而不依赖选择的增益。在图4所示的实施例中，可在节点“K”感知所述共模，并使用放大器402将感知的共模与参考共模电压VCM_ref进行比较。设计在开环结构中的放大器402可操作为比较器。在一些实施例中，当节点“K”处的电压大于VcM_ref，放大器402可输出一个电压，所述电压可将晶体管M1和Mu设置为截止状态。相反，当节点“K”处的电压小于Vciref，放大器402可输出一个电压，所述电压可将晶体管M1Q和Mn设置为开启状态。在其他实施例中，可选择性地使用与本实施例相反的逻辑。当晶体管M1和Mn耦接于接收机400的输出端，它们可关闭反馈回路，以便将输出信号的共模设置为VCM_ref。由于共模为VCM_re5f不依赖于增益，由此限制了输出信号的变形。[0050]虽然图4中示出电阻器Rd和电容器CPE船NG耦接于节点“L”和接地端之间，仍可采用其他的配置。例如，在一些实施例中，如图5所示，电阻器Rd和电容器Cpeak皿可耦接于差分节点之间。[0051]权利要求书中用以修饰元件的“第一”、“第二”等序数词的使用本身未暗示任何优先权、优先次序、各元件之间的先后次序、或所执行方法的时间次序，而仅用作标识来区分具有相同名称具有不同序数词）的不同元件。[0052]尽管本发明已经结合用于指导目的的某些特定实施例进行了描述，但本发明不限于此。因此，对所描述实施例的各种特征的各种变型、改编以及组合可以被实施，而不脱离权利要求书中所阐述的本发明的范围。

权利要求：I.一种线路接收器，其特征在于，包括：缓冲器，用于接收输入信号，所述缓冲器具有跨导增益；反馈电路，耦接于所述缓冲器，用于放大所述缓冲器的所述跨导增益；镜像电路，耦接于所述反馈电路，用于产生镜像电流，所述镜像电流为所述缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像；增益级，耦接于所述镜像电路，用于根据所述镜像电流产生输出信号。2.如权利要求1所述的线路接收器，其特征在于，所述镜像电路的跨导增益等于所述反馈电路的跨导增益。3.如权利要求1或2所述的线路接收器，其特征在于，所述缓冲器包括配置为源极跟随器的晶体管以及耦接于所述晶体管的所述源极的所述阻抗元件。4.如权利要求3所述的线路接收器，其特征在于，所述晶体管为第一晶体管；所述反馈电路包括第二晶体管，其中，所述第二晶体管的漏极耦接于所述第一晶体管的所述源极。5.如权利要求4所述的线路接收器，其特征在于，所述反馈电路还包括耦接于所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的漏极之间的反馈阻抗元件。6.如权利要求4所述的线路接收器，其特征在于，所述镜像电路包括第三晶体管，其中，所述第三晶体管的源极耦接于所述第二晶体管的源极，所述第三晶体管的栅极耦接于所述第二晶体管的栅极，且所述镜像电流由所述第二晶体管和所述第三晶体管的共栅极电压提供。7.如权利要求6所述的线路接收器，其特征在于，所述缓冲器还包括：第四晶体管，包括耦接于所述第一晶体管的漏极的漏极，稱接于电源电压的源极，以及用于接收控制电压的栅极。。8.如权利要求1所述的线路接收器，其特征在于，所述增益级包括多个驱动晶体管，用于提供可调的增益。9.如权利要求6所述的线路接收器，其特征在于，所述增益级包括耦接于所述第三晶体管的漏极的负载。10.如权利要求1所述的线路接收器，其特征在于，使用小于1伏的电源电压为所述缓冲器供电。II.如权利要求3所述的线路接收器，其特征在于，通过改变所述阻抗元件的值来调节所述线路接收器的频率响应。12.—种线路接收器的驱动方法，其特征在于，包括：使用缓冲器接收输入信号，其中，所述缓冲器具有跨导增益；使用耦接于所述缓冲器的反馈电路放大所述缓冲器的所述跨导增益；使用镜像电路来产生镜像电流，所述镜像电流为所述缓冲器的阻抗元件流经的电流的镜像；使用增益级接收所述镜像电路产生的所述镜像电流，并基于所述镜像电流产生输出信号。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述镜像电路的跨导增益等于所述反馈电路的跨导增益。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述使用耦接于所述缓冲器的反馈电路放大所述缓冲器的所述跨导增益，包括：使用反馈阻抗元件偏置所述缓冲器和所述反馈电路的多个晶体管。I5•如权利要求I2所述的方法，其特征在于，所述使用增益级接收所述电流并根据所述电流产生输出信号，包括：从多个驱动晶体管中选择至少一个来提供可调整的增益。16.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：通过改变所述缓冲器的阻抗元件的取值来调节所述线路接收器的频率响应。

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