申请/专利权人：天津理工大学

申请日：2020-12-29

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112626555A

主分类号：C25B11/091(20210101)

分类号：C25B11/091(20210101);C25B1/23(20210101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2022.12.02#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：本发明公开了一种复合材料，在六边形CuSe纳米片上复合g‑C3N4纳米层，我们做了一系列比例包括10％，30％，50％，70％比例的CuSeg‑C3N4的复合材料，其中，50％的CuSeg‑C3N4具有最优异的电催化性能，在‑1.2Vvs.RHE下CO的法拉第效率可以达到85.28％，并且电流密度为‑10.125mAcm2。本发明具有选择性高且产物单一、稳定的特点，并且材料价格低廉且易制取获得，具有显著的应用前景，并且符合绿色发展的理念。

主权项：1.一种CuSe纳米片复合在g-C3N4纳米层上的复合催化剂的制备方法，其二维与二维材料之间的异质结构的形成有助于增加活性表面积，并且可以提高电子转移的速率，进而提升了CO2电催化还原的性能。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津理工大学 一种CuSe/g-C₃N₄电催化材料的制备方法及其用途

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