申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-02-20

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN111357108B

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101);H01L21/18(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.06.08#授权;2020.07.24#实质审查的生效;2020.06.30#公开

摘要：提供了一种半导体器件。半导体器件包括具有形成于其中的阵列晶体管的第一晶圆，和具有形成于其中的电容器结构的第二晶圆。半导体器件还包括形成于第一晶圆和第二晶圆之间的、包括多个键合结构的键合界面。键合结构被配置为将阵列晶体管耦合至电容器结构，以形成存储单元。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一晶圆，其具有形成于其中的阵列晶体管，其中，所述阵列晶体管包括：耦合至第一触点结构的字线结构的栅极结构，以及耦合至第一触点结构的位线结构的第二掺杂区；第二晶圆，其具有形成于其中的电容器结构；外围晶体管，其形成于第一晶圆或第二晶圆中的一者中；以及形成于所述第一晶圆和所述第二晶圆之间的、包括多个键合结构的键合界面，所述多个键合结构被配置为将所述阵列晶体管耦合至所述电容器结构，以形成存储单元，其中，所述外围晶体管通过所述键合界面耦合到所述第一晶圆或所述第二晶圆中的另一者。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有XTACKING架构的DRAM存储器件

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