申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-09-02

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN112236858B

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L21/48;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：本公开内容提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：面对面地键合第一管芯和第二管芯，第一管芯包括：衬底；在第一管芯的正面形成的在半导体层之上的晶体管，其中在衬底与半导体层之间具有绝缘层；以及在第一管芯的正面的延伸穿过绝缘层的第一接触结构。该方法还可以包括：使第一接触结构从第一管芯的背面暴露；从第一管芯的背面在绝缘层中形成接触孔以使半导体层暴露；以及在第一管芯的背面形成与第一接触结构连接的第一焊盘引出结构和在接触孔上与半导体层导电地连接的第二焊盘引出结构。

主权项：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：面对面地键合第一管芯和第二管芯，所述第一管芯包括第一衬底、在所述第一衬底的正面的绝缘层、在所述第一管芯的正面的延伸穿过所述绝缘层的第一部分的第一接触结构、以及在所述绝缘层的第二部分的正面的半导体层，所述绝缘层的一部分设置在所述第一接触结构与所述半导体层之间，并且所述绝缘层的所述一部分与所述第一接触结构和所述半导体层的面对所述第一接触结构的侧面直接接触；通过将所述第一衬底从所述第一管芯的背面移除来使所述第一接触结构从所述第一管芯的背面暴露；从所述第一管芯的背面在所述绝缘层的所述第二部分中形成接触孔，所述接触孔使所述半导体层暴露；以及在所述第一管芯的背面形成与所述第一接触结构导电地连接的第一焊盘引出结构和在所述接触孔上与所述半导体层导电地连接的第二焊盘引出结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于Xtacking架构的焊盘引出结构

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