申请/专利权人：半导体元件工业有限责任公司

申请日：2020-12-16

公开（公告）日：2021-07-06

公开（公告）号：CN113078212A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/336(20060101)

优先权：["20200106 US 16/734,649"]

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2023.07.14#发明专利申请公布后的视为撤回;2021.07.06#公开

摘要：本发明描述了一种在栅极区域下方具有GaN沟道再生的增强型E型金属绝缘体半导体MIS高电子迁移率晶体管HEMT或EMISHEMT。在栅极区域下方具有GaN沟道再生的EMISHEMT为常关器件提供适当高且稳定的阈值电压，同时提供低栅极泄漏电流。沟道层提供2DEG和相关联的低导通电阻，同时沟道材料层延伸穿过蚀刻的凹陷部并进入该沟道层中并局部中断2DEG以实现常关操作。

主权项：1.一种半导体器件，包括：高电子迁移率晶体管HEMT，所述高电子迁移率晶体管具有：沟道层；势垒层，所述势垒层与所述沟道层相邻地形成并且至少部分地在所述高电子迁移率晶体管的源极和漏极之间延伸；沟道材料层，所述沟道材料层延伸穿过所述势垒层并进入所述沟道层中；至少一个介电层，所述至少一个介电层与所述沟道材料层相邻地形成；和栅极，所述栅极与所述至少一个介电层相邻地形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 半导体元件工业有限责任公司 在栅极区域下方具有GaN沟道再生的增强型MISHEMT

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