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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日：2024-01-04
公开（公告）日：2024-05-10
公开（公告）号：CN118017811A
主分类号：H02M1/08
分类号：H02M1/08;H02M1/088;H02M1/00;H02M1/44;H03K19/0185;H03K17/16;H03K17/041;H03K17/687;H03H7/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开
摘要：本发明属于集成电路领域，具体涉及一种高速GaN半桥栅极驱动器，所述高速GaN半桥栅极驱动器由输入级1、输入级2、自举二极管D1、电平转化电路、缓冲级1、缓冲级2、功率管PM1、NM1、PM2、NM2组成；本发明通过电平转化电路能够实现驱动器中低延时的瞬态噪声抑制，不仅可以有效抑制电平转化中的噪声，还可以解决GaN驱动电路传输速度较慢的缺点；同时转换电路中没有RC滤波，采用电压脉冲与尾电流源控制的方式进行信号转换，因此其传输速度很快可以降低延时。
主权项：1.一种高速GaN半桥栅极驱动器，其特征在于，包括：输入级1、2，自举二极管D1，电平转化电路，缓冲级1、2，功率管PM1、NM1、PM2、NM2；所述输入级1的输出端与所述电平转化电路的输入端连接；所述输入级1的输入端接收第一外部输入信号HI；所述输入级2的输出端与所述缓冲级2的输入端连接；所述输入级2的输入端接收第二外部输入信号LI；所述电平转化电路的输出端与所述缓冲级1的输入端连接；所述缓冲级1的输出端与所述功率管PM1、NM1的栅极连接；所述缓冲级2的输出端与所述功率管PM2、NM2的栅极连接；所述自举二极管D1的阴极与所述功率管PM1的源极一起连接至高边自举电源HB，其阳极与功率管PM2的源极一起连接至芯片电源VDD；所述功率管PM1漏极为芯片第一高边输出HOH，所述功率管NM1漏极为芯片第二高边输出HOL，芯片在使用时，HOH与HOL常连接在一起使用；所述功率管PM2漏极为芯片第一低边输出LOH，所述功率管NM2漏极为芯片第二低边输出LOL，芯片在使用时，LOH与LOL常连接在一起使用；所述功率管NM1源极与芯片自举“地”HS连接在一起，所述功率管NM2源极与芯片地VSS连接在一起。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种高速GaN半桥栅极驱动器
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