申请/专利权人：友达光电股份有限公司

申请日：2019-06-06

公开（公告）日：2021-07-20

公开（公告）号：CN110176480B

主分类号：H01L27/32(20060101)

分类号：H01L27/32(20060101);H01L51/52(20060101);H01L51/00(20060101)

优先权：["20190212 TW 108104630","20180622 US 62/688,635"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.07.20#授权;2019.09.20#实质审查的生效;2019.08.27#公开

摘要：一种像素结构，包括第一电极、第二电极设置于第一电极的一侧以及像素定义层设置于第一电极及第二电极上。像素定义层具有第一开口及第二开口，且于垂直第一电极的法线方向上，第一开口与第二开口分别对应重叠第一电极与第二电极。第一开口具有第一区及第二区，且第一区的最大开口宽度小于第二区的最大开口宽度。第二开口具有第三区及第四区，且第三区的最大开口宽度小于第四区的最大开口宽度。像素定义层具有第一挡墙及第二挡墙。第一挡墙隔开第一开口的第一区与第二开口的第三区。第二挡墙隔开第一开口的第二区与第二开口的第四区。第一挡墙的最大宽度大于第二挡墙的最大宽度。

主权项：1.一种像素结构，包括：一第一电极；一第二电极，设置于该第一电极的一侧；一第三电极，设置于该第一电极的另一侧；以及一像素定义层设置于该第一电极及该第二电极上，该像素定义层具有一第一开口、一第二开口及一第三开口，且于垂直该第一电极的一法线方向上，该第一开口、该第二开口与该第三开口分别对应重叠该第一电极、该第二电极与该第三电极，其中该第一开口具有一第一区及一第二区，且该第一区的最大开口宽度小于该第二区的最大开口宽度，其中该第二开口具有一第三区及一第四区，且该第三区的最大开口宽度小于该第四区的最大开口宽度，其中该像素定义层具有一第一挡墙及一第二挡墙，该第一挡墙隔开该第一开口之该第一区与该第二开口的该第三区，该第二挡墙隔开该第一开口的该第二区与该第二开口的该第四区，该第一挡墙隔开该第一开口与该第三开口以及该第二开口与该第三开口，其中该第一挡墙的最大宽度大于该第二挡墙的最大宽度。

全文数据：像素结构技术领域本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种像素结构具有不同宽度的第一挡墙及第二挡墙的像素定义层。背景技术有机发光二极管Organiclightemittingdiode，OLED具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，因此已被广泛应用于家用及各种设备中的指示器或光源。喷墨打印技术InkJetPrinting，IJP在OLED的制作过程中能够提升材料利用率以降低制作成本，但在进行喷墨打印之前需形成对应像素设置的挡墙bank，以定义每一像素的区域。然而在提升解析度时，会缩小像素结构。如此，必须提升每一像素中挡墙所占的面积，以减少混色的机率。因此，像素的开口面积会减小，发光区域的面积减小，导致显示品质不佳，更无法进一步缩小像素以提升解析度。发明内容本发明提供一种像素结构，可以增加像素结构的开口面积、提升显示品质以及达成高解析度的目标。本发明的像素结构，包括第一电极、第二电极设置于第一电极的一侧以及像素定义层设置于第一电极及第二电极上。像素定义层具有第一开口及第二开口，且于垂直第一电极的法线方向上，第一开口与第二开口分别对应重叠第一电极与第二电极。第一开口具有第一区及第二区，且第一区的最大开口宽度小于第二区的最大开口宽度。第二开口具有第三区及第四区，且第三区的最大开口宽度小于第四区的最大开口宽度。像素定义层具有第一挡墙及第二挡墙，第一挡墙隔开第一开口的第一区与第二开口的第三区。第二挡墙隔开第一开口的第二区与第二开口的第四区。基于上述，本发明一实施例的像素结构，由于在靠近像素结构的中心，在占有较小开口正投影面积的第一区及第三区之间的第一挡墙的最大宽度可以大于于占有较大开口正投影面积的第二区及第四区之间的第二挡墙的最大宽度。因此，喷涂在第一开口中的发光层的液滴的一部分会因喷涂的精度以及流动性而残留在第一挡墙上。如此，第一挡墙可以减少发光层的液滴流入第二开口或第三开口的机率。藉此，可以在缩小像素结构达成高解析度的目标下，且不提升喷墨制作对于精度的要求下，减少混色的机率。此外，还可以减少第二挡墙所占的面积，以增加像素结构的开口面积，增加发光面积并提升显示品质。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。附图说明图1A为本发明一实施例的像素结构的俯视示意图。图1B为图1A的像素结构沿剖面线A-A’的剖面示意图。图1C为图1A的像素结构沿剖面线B-B’的剖面示意图。图2A为本发明另一实施例的像素结构的俯视示意图。图2B为图2A的像素结构沿剖面线C-C’的剖面示意图。图3为本发明又一实施例的像素结构的俯视示意图。图4A为本发明一实施例的多个像素结构排成阵列的俯视示意图。图4B为图4A的多个像素结构的阵列沿剖面线D-D’的剖面示意图。图5为本发明另一实施例的多个像素结构的阵列剖面示意图。图6A为本发明又一实施例的多个像素结构排成阵列的俯视示意图。图6B为图6A的多个像素结构的阵列沿剖面线E-E’的剖面示意图。图7为本发明再一实施例的多个像素结构的阵列的剖面示意图。其中，附图标记：1、1’、1A、1A’：阵列10、10A、10B：像素结构12A：第一像素结构14A：第二像素结构16A、16B：第三像素结构18A、18B：第四像素结构11：外边缘110：基板111：第一电极112：第二电极113：第三电极120、120A、120B：第一挡墙121A：第一部122A：第二部123A：第三部140：第二挡墙160：第三挡墙180：第四挡墙210、210A、210B、210C、210D、210E：第一开口211：第一区212：第二区220、220A、220B、220D、220E：第二开口221：第三区222：第四区230、230A、230C、230E：第三开口231：第五区232：第六区300：绝缘层A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’：剖面线D1：第一方向D2：第二方向EL：发光层EL’：液滴的预定区EL1：第一发光层EL2：第二发光层EL3：第三发光层K1：第一长度K2：第二长度L：法线L1、L2：长轴PD：像素定义层PX1：第一子像素PX2：第二子像素PX3：第三子像素T1：第一厚度T2：第二厚度W1：第一宽度W2：第二宽度W120、W140、W211、W212、W221、W222：最大宽度X：像素结构的长Y：液滴的半径长具体实施方式下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理和或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和或部分，但是这些元件、部件、区域、和或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。除非另有定义，本文使用的所有术语包括技术和科学术语具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。图1A为本发明一实施例的像素结构的俯视示意图，图1A为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。图1B为图1A的像素结构沿剖面线A-A’的剖面示意图。图1C为图1A的像素结构沿剖面线B-B’的剖面示意图。请参考图1A、图1B及图1C，在本实施例中，像素结构10包括第一电极111、第二电极112设置于第一电极111的一侧以及像素定义层PD设置于第一电极111及第二电极112上。在本实施例中，像素结构10举例为应用于有机发光二极管显示面板的像素，但不以此为限。详细而言，在本实施例中，像素结构10可设置于基板110上。基板110的材料可以是玻璃、石英、有机聚合物、不透光反射材料例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其它可适用的材料或是其它可适用的材料。若使用导电材料或金属时，则在基板110上覆盖一层绝缘材料未示出，以避免短路问题。在一些实施例中，可以设置主动元件层未示出于基板110上。主动元件层例如是主动元件阵列，包括介电层、多个主动元件以及连接这些主动元件的多条信号线。上述主动元件包括薄膜晶体管thinfilmtransistor，TFT。薄膜晶体管例如为低温多晶硅薄膜晶体管lowtemperaturepoly-Si，LTPS或非晶硅薄膜晶体管amorphousSi，a-Si，但本发明不以此为限。在本实施例中，像素结构10的第一电极111设置于基板110上。举例而言，第一电极111可以设置于主动元件层上，且第一电极111电性连接主动元件层，但本发明不以此为限。第一电极111的材料为导体材料，例如铝Al、银Ag、铬Cr、铜Cu、镍Ni、钛Ti、钼Mo、镁Mg、铂Pt、金Au或其组合。第一电极111可以是单层、双层或多层结构。举例而言，第一电极111可以是由氧化铟锡银氧化铟锡ITOAgITO所构成的三层结构，但本发明不以此为限。在其他实施例中，第一电极111也可以是钛铝钛TiAlTi或是由钼铝钼MoAlMo所构成的三层结构。在一些实施例中，第一电极111还包括反射电极，其材料可以是对可见光具有良好反射率的金属，例如铝Al、钼Mo、金Au或其组合。在一些实施例中，第一电极111的形成方法可以是化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、原子层沉积ALD、蒸镀VTE、溅镀SPT或其组合。在一些实施例中，第一电极111可作为有机发光二极管OLED的阳极anode，但本发明不以此为限。像素结构10的第二电极112设置于基板110上，且设置于第一电极111的一侧。第二电极112与第一电极111相似，可以设置于主动元件层上，且电性连接主动元件层。第二电极112与第一电极111的材质、结构及形成方法相似，在此不再赘述。在一些实施例中，第二电极112可作为有机发光二极管的阳极，但本发明不以此为限。像素定义层PD设置并覆盖于基板110、第一电极111及第二电极112上，且像素定义层PD具有第一开口210及第二开口220。举例而言，像素定义材料未示出可先整面地设置于第一电极111及第二电极112上，接着通过黄光微影方式，以形成具有第一开口210及第二开口220的像素定义层PD。在本实施例中，在垂直第一电极111或垂直基板110的法线L的方向上，第一开口210与第二开口220分别对应重叠第一电极111与第二电极112。从另一角度而言，第一开口210暴露出部分位于第一开口210中的第一电极111，且第二开口220暴露出部分位于第二开口220中的第二电极112。像素定义层PD的材料包括无机材料。无机材料包括氮化硅SiNx或其他合适材料，本发明不以此为限。在一些实施例中，像素定义层PD的材料也包括光阻材料。在本实施例中，像素定义层PD的开口210、220可用于定义出多个子像素的区域。在本实施例中，第一开口210与第二开口220可以由像素定义层PD所定义。举例而言，像素定义层PD的第一开口210与第二开口220之间的像素定义层PD具有第一挡墙120及第二挡墙140。第一挡墙120及第二挡墙140可用以隔开第一开口210与第二开口220。举例而言，第一开口210具有第一区211及第二区212。其中，相较于第二区212，第一区211邻近第一挡墙120。第二开口220具有第三区221及第四区222。其中，相较于第四区222，第三区221邻近第一挡墙120。从另一角度而言，第一区211位于第二区212及第一挡墙120所在的区域之间，而第三区221位于第四区222及第一挡墙120所在的区域之间。在本实施例中，如图1B所示，像素结构10更包括第三电极113设置于第一电极111的另一侧、第三开口230以及多个发光层EL分别设置于第一开口210、第二开口220及第三开口230中。请再参考图1A，第三开口230具有第五区231及第六区232。其中，相较于第六区232，第五区231邻近第一挡墙120。从另一角度而言，第五区231位于第六区232及第一挡墙120所在的区域之间。在本实施例中，第三电极113与第一电极111相似，可以设置于主动元件层上，且电性连接主动元件层。第三电极113与第一电极111的材质、结构及形成方法相似，在此不再赘述。此外，像素结构10还包括第三挡墙160及第四挡墙180。其中，第二挡墙140、第三挡墙160及第四挡墙180分别连接第一挡墙120及环绕像素结构10的像素定义层PD。第二挡墙140隔开第一开口210的第二区212与第二开口220的第四区222，第三挡墙160隔开第二开口220的第四区222与第三开口230的第六区232，且第四挡墙180隔开第一开口210的第二区212与第三开口230的第六区232。换句话说，第一开口210可由像素定义层PD的一边、第一挡墙120及第二挡墙140与第四挡墙180定义，第二开口220可由像素定义层PD的两边、第一挡墙120及第二挡墙140与第三挡墙160定义，且第三开口230可由像素定义层PD的两边、第一挡墙120及第三挡墙160与第四挡墙180定义。在本实施例中，第一区211的最大开口宽度W211小于第二区212的最大开口宽度W212。举例而言，第一区211的最大开口宽度W211可定义为于第一区211与第二区212的交接处，由第二挡墙140至第四挡墙180的直线距离。从另一角度而言，第一区211的最大开口宽度W211也可以是第二区212的最小开口宽度未标示。第二区212的最大开口宽度W212可定义为第二挡墙140连接像素定义层PD之处与第四挡墙180连接像素定义层PD之处的直线距离。从另一角度而言，第二区212的最大开口宽度W212可为第二区212最靠近像素定义层PD的外边缘11的宽度。第三区221的最大开口宽度W221小于第四区222的最大开口宽度W222。第三区221的最大开口宽度W221可定义为于第三区221与第四区222的交接处，由第一挡墙120至像素定义层PD的最短直线距离。从另一角度而言，第三区221的最大开口宽度W221也可以是第四区222的最小开口宽度未标示。第四区222的最大开口宽度W222可定义为第二挡墙140连接像素定义层PD之处与第三挡墙160所连接的像素定义层PD的一侧之间的最短直线距离。从另一角度而言，第四区222的最大开口宽度W222可为第四区222最靠近外边缘11的宽度，且平行于外边缘11的延伸方向。在一些实施例中，第五区231的最大开口宽度未标示小于第六区232的最大开口宽度未标示。第五区231的最大开口宽度可定义为于第五区231与第六区232的交接处，由第一挡墙120至像素定义层PD的最短直线距离。从另一角度而言，第五区231的最大开口宽度也可以是第六区232的最小开口宽度未标示。第六区232的最大开口宽度可定义为第四挡墙180连接像素定义层PD之处与第三挡墙160所连接的像素定义层PD的一侧之间的最短直线距离。从另一角度而言，第六区232的最大开口宽度可为第六区232最靠近外边缘11的宽度，且平行于外边缘11的延伸方向。换句话说，第一开口210、第二开口220及第三开口230之间夹设第一挡墙120，且第一挡墙120与像素定义层PD的外边缘11的边之间由第二挡墙140、第三挡墙160及第四挡墙180连接。从另一角度而言，第一挡墙120可以设置于靠近像素结构10的中心例如离像素结构10四个边相同距离的中心点，隔开第一开口210、第二开口220及第三开口230。请参考图1A、图1B及图1C，在本实施例中，于法线L的方向上，第三开口230对应重叠第三电极113，且第一挡墙120隔开第一开口210与第三开口230以及隔开第二开口220与该第三开口230。在本实施例中，开口210、220、230适于分别容置这些发光层EL，且这些发光层EL包括第一发光层EL1、第二发光层EL2及第三发光层EL3。第一发光层EL1对应第一开口210、第二发光层EL2对应第二开口220且第三发光层EL3对应第三开口230。在本实施例中，第一开口210中的第一发光层EL1可以位于第二开口220中的第二发光层EL2与第三开口230中的第三发光层EL3之间，但本发明不以此为限。发光层EL在开口210、220、230中接触电极111、112、113。发光层EL例如为电致发光的有机发光结构，但本发明不以此为限。在本实施例中，为了提升材料的利用率以降低制造成本，可藉由喷墨打印inkjetprinting，IJP制程来形成发光层EL。举例而言，液态的有机发光材料未示出可通过喷墨打印制程设置于电极111、112、113上且位于开口210、220、230中，再藉由一干燥程序形成薄膜的发光层EL。在一些实施例中，发光层EL可为多层结构，包括空穴注入层holeinjectionlayer，HIL、空穴传输层holetransferlayer，HTL、发光层emissionlayer，EL和电子传输层electrontransferlayer，ETL。图1B及图1C为了方便说明及清楚表示，仅以一层结构表示。在本实施例中，可通过重复进行喷墨打印制程以及固化程序以形成所需厚度的发光层EL，但本发明不以此为限。在一些实施例中，空穴注入层的材料例如是苯二甲蓝铜、星状芳胺类、聚苯胺、聚乙烯二氧噻吩或其他适合的材料。空穴传输层的材料例如是三芳香胺类、交叉结构二胺联苯、二胺联苯衍生物或其他适合的材料。发光层EL可以是红色有机发光层、绿色有机发光层、蓝色有机发光层或是混合各频谱的光产生的不同颜色例如白、橘、黄等发光层。电子传输层的材料可以是恶唑衍生物及其树状物、金属螯合物例如Alq3、唑类化合物、二氮蒽衍生物、含硅杂环化合物或其他适合的材料。基于液体的表面张力与像素定义层PD及其挡墙120、140、160、180的吸附力的不同，导致液滴干燥过程中，使发光层EL的厚度随着靠近像素定义层PD及其挡墙120、140、160、180渐增。举例而言，发光层EL于挡墙140、180与第一电极111的交接处的第一厚度T1大于发光层EL于第一电极111上的第二厚度T2，因而具有弧度的表面，但本发明不以此为限。第一发光层EL1、第二发光层EL2以及第三发光层EL3可以分别发出不同波长的第一色光、第二色光及第三色光未示出。举例而言，第一色光例如为红色光，第二色光例如为蓝色光，第三色光例如为绿色光，但本发明不以此为限。在一些实施例中，色光的颜色还可包括白色或其他合适的颜色，且第一色光、第二色光及第三色光中的任意两个或任三个的颜色可以相同，本发明不以此为限。在一些实施例中，像素结构10还可以包括对向电极未示出设置于像素定义层PD上。举例而言，对向电极可以整面的方式设置在像素定义层PD及发光层EL上并重叠电极111、112、113以及开口210、220、230，但本发明不以此为限。对向电极的材料可为透明的导体材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物或铟锗锌氧化物等金属氧化物。在一些实施例中，对向电极的形成方法可以是化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、原子层沉积ALD、蒸镀VTE、溅镀SPT或其组合。在一些实施例中，对向电极可作为有机发光二极管的阴极cathode。在一些实施例中，还可以选择性地设置保护层、平坦层、阻水氧层未示出或其他合适的膜层于对向电极上，本发明不以此为限。值得注意的是，第一挡墙120的最大宽度W120大于第二挡墙140的最大宽度W140。举例而言，第一挡墙120的最大宽度W120可定义为第一挡墙120与第四挡墙180的交接处至第一挡墙120与第三挡墙160的交接处的直线距离。换句话说，第一挡墙120的最大宽度W120可以是于第一区211处，第一挡墙120与第四挡墙180的交接处与于第三区221处，第一挡墙120与第三挡墙160的交接处之间的最大距离。从另一角度而言，第一挡墙120的最大宽度W120可以为第一挡墙120对应第一开口210、第二开口220或第三开口230的边长，但本发明不以此为限。第二挡墙140的最大宽度W140可定义为垂直于第二挡墙140延伸方向的宽度。此外，第三挡墙160的最大宽度未标示与第四挡墙180的最大宽度未标示可与第二挡墙140的最大宽度W140相同，并小于第一挡墙120的最大宽度W120。在上述的设置下，由于第一开口210具有较大宽度的第二区212较具有较小宽度的第一区211远离第一挡墙120，且第二开口220具有较大宽度的第四区222较具有较小宽度的第三区221远离第一挡墙120可视为在法线L的方向上，第一区211的正投影面积小于第二区212的正投影面积，因此喷涂在第一开口210中的发光层EL的液滴的一部分会因喷涂的精度以及流动性而残留在第一挡墙120上。如此，靠近像素结构10的中心，在占有较小开口正投影面积的第一区211、第三区221及第五区231之间，设置较第二挡墙140来得宽的第一挡墙120可以减少发光层EL的液滴流入第二开口220或第三开口230的机率。藉此，可以在缩小像素结构10达成高解析度的目标下，且不提升喷墨工艺对于精度的要求下，减少混色的机率。此外，于占有较大开口正投影面积的第二区212及第四区222之间，设置较第一挡墙120来得窄的第二挡墙140，可以减少挡墙所占的面积，以增加像素结构10的开口面积，增加发光面积并提升显示品质。在本实施例中，于第一挡墙120与第二挡墙140的交接处，第一挡墙120的宽度朝第三开口230逐渐增加。从另一角度而言，第一挡墙120在法线L的方向也就是俯视方向上的正投影外型可以是三角形，其每一边对应第一区211、第三区221及第五区231。此外，每一边的长度也可以是第一挡墙120的最大宽度W120。此外，于法线L的方向上，第一挡墙120的正投影面积为像素定义层PD的外边缘11正投影内的面积的0％至在上述的设置下，使用者可依像素结构10的尺寸，调整第一挡墙120所占像素结构10的面积比例，以增加像素结构10的开口面积、提升显示品质以及达成高解析度的目标。简言之，由于在靠近像素结构10的中心，在占有较小开口正投影面积的第一区211、第三区221及第五区231之间的第一挡墙120的最大宽度W120可以大于在占有较大开口正投影面积的第二区212及第四区222之间的第二挡墙140的最大宽度W140。如此，第一挡墙120可以减少发光层EL的液滴流入第二开口220或第三开口230的机率。藉此，可以在缩小像素结构10达成高解析度的目标下，且不提升喷墨工艺对于精度的要求下，减少混色的机率。此外，还可以减少第二挡墙140所占的面积，以增加像素结构10的开口面积，增加发光面积并提升显示品质。下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，关于省略了相同技术内容的部分说明可参考前述实施例，下述实施例中不再重复赘述。图2A为本发明另一实施例的像素结构的俯视示意图，图2A为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。图2B为图2A的像素结构沿剖面线C-C’的剖面示意图。本实施例所示的像素结构10A与图1A及1B所示的像素结构10类似，主要的差异在于：第一挡墙120A具有第一部121A及第二部122A。第一部121A隔开第一开口210的第一区211与第二开口220的第三区221。第二部122A隔开第二开口220的第三区221与第三开口230的第五区231。在本实施例中，第一挡墙120A还具有第三部123A。第三部123A隔开第一开口210的第一区211与第三开口230的第五区231。举例而言，第一部121A、第二部122A及第三部123A可以在靠近像素结构10A的中心处交接。换句话说，每一部的长轴可以在第一部121A、第二部122A及第三部123A的交接处交错，而于法线L的方向上俯视方向呈三个叶片部分重叠的形状。在本实施例中，第一区211的定义与图1A的像素结构10中的第一区211的定义相似，故不再赘述。第三区221与第四区222之间的界线可被定义为第一部121A与第二挡墙140的交接处至第二部122A与第三挡墙160的交接处之间的直线距离。第三区221可被定义为上述的第三区221与第四区222之间的界线、第一部121A及第二部122A之间的区域。上述的第三区221与第四区222之间的界线可被视为第三区221的最大开口宽度未标示。第五区231与第六区232之间的界线可被定义为第三部123A与第四挡墙180的交接处至第二部122A与第三挡墙160的交接处之间的直线距离。第五区231可被定义为上述的第五区231与第六区232之间的界线、第三部123A及第二部122A之间的区域。上述的第五区231与第六区232之间的界线可被视为第五区231的最大开口宽度未标示。详细而言，第一部121A的宽度可以沿着第一部121A的长轴L1的方向逐渐增加至第一宽度W1，再逐渐减少。第二部122A的宽度可以沿着第二部122A的长轴L2的方向逐渐增加至第二宽度W2，再逐渐减少。具体而言，第一部121A具有第一长度K1及第一宽度W1。第一长度K1自第一挡墙120A与第二挡墙140的交接处，延着长轴L1的方向延伸至与第二部122A及第三部123A接触第五区231之处。第一部121A的宽度则自第一长度K1的一端，逐渐增加至第一宽度W1，再往第一长度K1的另一端逐渐减少。第二部122A具有第二长度K2及第二宽度W2。第二长度K2自第一挡墙120A与第三挡墙160的交接处，延着长轴L2的方向延伸至与第一部121A及第三部123A接触第一区211之处。第二部122A的宽度则自第二长度K2的一端，逐渐增加至第二宽度W2，再往第二长度K2的另一端逐渐减少。第三部123A与第一部121A相似，第三部123A的宽度也可以沿着第三部123A的长轴未示出的方向逐渐增加后，再逐渐减少。如此，第一部121A、第二部122A及第三部123A于俯视上为两端较窄而中间较宽的叶片状。在本实施例中，而W1＝2[Y-X-2Y2+X2-Y22，K2＝2Y2-X-2Y22，而W2＝4Y-X，且X为像素结构10A的长，Y为发光层EL的液滴的半径长。举例而言，于法线L的方向上，X为像素结构10A的外边缘11的正投影的长度。Y为发光层EL的液滴的半径长。在上述的设置下，第二长度K2可以大于第一长度K1，且第二宽度W2可以大于第一宽度W1。如图2A所示，液滴的预定区EL’是以虚线表示，且预定区EL’中所示的半径为液滴的半径长Y。在本实施例中，X例如是液滴的半径长Y加上机械精度。举例而言，X例如是Y的三倍长或以上。此外，藉由像素结构10A的长X及发光层EL的液滴的半径长Y，使用者可以调控第一挡墙120A的第一部121A及第二部122A的宽度。藉此，第一部121A及第二部122A可为宽度自两端往中间渐增的的叶片形状。如此，像素结构10A除了可获致与上述实施例类似的技术功效，还可进一步地减少第一挡墙120A所占的面积，以增加像素结构10A的开口面积，增加发光面积并提升显示品质。图3为本发明又一实施例的像素结构的俯视示意图。本实施例所示的像素结构10B与图2A所示的像素结构10A类似，主要的差异在于：像素结构10B的长为X，且发光层EL的液滴的半径长为Y，X＝2Y。举例而言，X为像素结构10B的外边缘11于法线L的方向上的正投影的长，且Y为液滴于预定区EL’的半径长。换句话说，本实施例可在不调整液滴尺寸的情形下，进一步缩小像素结构10B的尺寸。在上述的设置下，在法线L的方向上，对应第二开口220的液滴的预定区EL’会部分重叠第一挡墙120B，且部分重叠第二开口220图3仅示意性地示出部分重叠第二开口220的液滴的预定区EL’，而减少流入第一开口210或第三开口230的机率。如此，相较于图2A的像素结构10A，像素结构10B可在不提升喷墨工艺对于精度的要求下，进一步地缩小外边缘11的尺寸，以达成高解析度的需求。具体而言，当像素结构10B的长满足X＝2Y时，解析度可以提升至500ppi或以上。藉此，像素结构10B可获致与上述实施例类似的技术功效。图4A为本发明一实施例的多个像素结构排成阵列的俯视示意图，图4A为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。图4B为图4A的多个像素结构的阵列沿剖面线D-D’的剖面示意图。请参考图4A及图4B，在本实施例中，多个像素结构12A、14A、16A、18A排成阵列1。需先说明的是，本实施例仅以四个像素结构排成阵列进行说明。实际上，阵列包括数千个至数千万个像素结构，本发明不以此为限。在本实施例中，多个像素结构10A分别沿着第一方向D1及垂直于第一方向D1的第二方向D2排列成多行及多列。举例而言，如图4A所示，第一像素结构12A在第一方向D1上邻接第三像素结构16A，且第一像素结构12A在第二方向D2上邻接第二像素结构14A。第四像素结构18A在第一方向D1上邻接第二像素结构14A，且第四像素结构18A在第二方向D2上邻接第三像素结构16A。从另一角度而言，第一像素结构12A与第四像素结构18A是沿着对角线排列。在本实施例中，第一像素结构12A与第四像素结构18A的开口排列方式相同，且第二像素结构14A与第三像素结构16A的开口排列方式相同。举例而言，第二像素结构14A旋转对称于第一像素结构12A，第三像素结构16A旋转对称于第一像素结构12A，且第四像素结构18A旋转对称于第二像素结构14A及第三像素结构16A。在本实施例中，每一像素结构12A、14A、16A、18A分别具有三个开口且每一开口分别对应具有不同颜色的子像素，例如分别包括红色、蓝色或绿色的子像素。以左右相邻第二像素结构14A以及第四像素结构18A为例，第一开口210A、210C可以对应具有第一颜色例如红色或其他适合颜色的第一子像素PX1。第二开口220A、220C可以对应具有第二颜色例如蓝色或其他适合颜色的第二子像素PX2。第三开口230A、230C可以对应具有第三颜色例如绿色或其他适合颜色的第三子像素PX3。具有相同颜色的第三子像素PX3之间由像素定义层PD隔开。相同地，相邻的第一像素结构12A及第三像素结构16A的第二开口220与第二开口220B分别对应相同第二颜色的第二子像素PX2，并由像素定义层PD隔开。在上述的设置下，第一像素结构12A的第一开口210相邻第二像素结构14A的第一开口210A，换句话说，相邻像素结构的具有第一颜色的第一子像素PX1可以彼此相邻，且由像素定义层PD隔开。第一像素结构12A的第二开口220相邻第三像素结构16A的第二开口220B。第二像素结构14A的第三开口230A相邻第四像素结构18A的第三开口230C。第三像素结构16A的第一开口210B不相邻第四像素结构18A的第一开口210C，换句话说，相邻像素结构的具有第一颜色的第一子像素PX1也可以彼此不相邻。如此，于第一方向D1上相邻的第二像素结构14A与第四像素结构18A的第三开口230A、230C以及相邻的第一像素结构12A与第三像素结构16A的第二开口220、220B可以将相同颜色的子像素组合在一起，且第三开口230A与第三开口230C或第二开口220与第二开口220B之间可由像素定义层PD隔开，但本发明不以此为限。藉此，可依使用者的需求，调整所观察到的子像素的排列方向，以提升色彩与亮度的均匀性，进一步提升显示品质。此外，阵列1中的像素结构12A、14A、16A、18A还可获致与上述实施例类似的技术功效。图5为本发明另一实施例的多个像素结构的阵列的剖面示意图。本实施例所示的多个像素结构的阵列1’与图4B所示的多个像素结构的阵列1类似，主要的差异在于：多个像素结构例如图4A所示的第二像素结构14A与第四像素结构18A之间可由绝缘层300隔开。具体而言，相较于图4B所示，本实施例的第三开口230A与第三开口230C之间由绝缘层300隔开。在其他未示出的实施例中，相邻像素结构中的第一开口与第一开口之间或第二开口与第二开口之间也可由绝缘层隔开。绝缘层300可例如为条纹stripe结构，其材质可以包括无机材料，例如氧化硅SiO2或其他合适材料，本发明不以此为限。如此，阵列1’可获致与上述实施例类似的技术功效。图6A为本发明又一实施例的多个像素结构排成阵列的俯视示意图，图6A为了方便说明及观察，仅示意性地示出部分构件。图6B为图6A的多个像素结构的阵列沿剖面线E-E’的剖面示意图。本实施例所示的多个像素结构的阵列1A与图4A及图4B所示的多个像素结构的阵列1类似，主要的差异在于：第一像素结构12A镜向对称于第三像素结构16B，第二像素结构14A镜向对称于第四像素结构18B，第一像素结构12A旋转对称于第二像素结构14A，且第三像素结构16A旋转对称于第四像素结构18A。详细而言，第一像素结构12A的第一开口210相邻第二像素结构14A的第一开口210A，换句话说，相邻像素结构的具有第一颜色的第一子像素PX1彼此相邻。第一像素结构12A的第二开口220相邻第三像素结构16B的第二开口220D，换句话说，相邻像素结构的具有第二颜色的第二子像素PX2彼此相邻。第二像素结构14A的第三开口230A相邻第四像素结构18B的第三开口230E，换句话说，相邻像素结构的具有第三颜色的第三子像素PX3彼此相邻。第三像素结构16B的第一开口210D相邻第四像素结构18B的第一开口210E。如此，阵列1A及其中的像素结构12A、14A、16B、18B可获致与上述实施例类似的技术功效。图7为本发明再一实施例的多个像素结构的剖面示意图。本实施例所示的多个像素结构的阵列1A’与图6B所示的多个像素结构的阵列1A类似，主要的差异在于：多个像素结构例如图6A所示的第二像素结构14A与第四像素结构18B之间可由绝缘层300隔开。具体而言，相较于图6B所示，本实施例的第三开口230A与第三开口230E之间由绝缘层300隔开。在其他未示出的实施例中，相邻像素结构中的第一开口与第一开口之间或第二开口与第二开口之间也可由绝缘层隔开。如此，阵列1A’可获致与上述实施例类似的技术功效。综上所述，本发明一实施例的像素结构，由于在靠近像素结构的中心，在占有较小开口正投影面积的第一区、第三区及第五区之间的第一挡墙的最大宽度可以大于于占有较大开口正投影面积的第二区及第四区之间的第二挡墙的最大宽度。因此，喷涂于第一开口中的发光层的液滴的一部分会因喷涂的精度以及流动性而残留在第一挡墙上。如此，第一挡墙可以减少发光层的液滴流入第二开口或第三开口的机率。藉此，可以在缩小像素结构达成高解析度的目标下，且不提升喷墨工艺对于精度的要求下，减少混色的机率。此外，还可以减少第二挡墙所占的面积，以增加像素结构的开口面积，增加发光面积并提升显示品质。另外，第一挡墙更具有呈三个叶片部分重叠的第一部、第二部及第三部。因此，可进一步地减少第一挡墙所占的面积，以增加像素结构的开口面积，增加发光面积并提升显示品质。此外，多个阵列排列的像素结构所排成的阵列，更可依使用者的需求，调整所观察到的子像素的排列方向，以提升色彩与亮度的均匀性，进一步提升显示品质。当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

权利要求：1.一种像素结构，包括：一第一电极；一第二电极，设置于该第一电极的一侧；以及一像素定义层设置于该第一电极及该第二电极上，该像素定义层具有一第一开口及一第二开口，且于垂直该第一电极的一法线方向上，该第一开口与该第二开口分别对应重叠该第一电极与该第二电极，其中该第一开口具有一第一区及一第二区，且该第一区的最大开口宽度小于该第二区的最大开口宽度，其中该第二开口具有一第三区及一第四区，且该第三区的最大开口宽度小于该第四区的最大开口宽度，其中该像素定义层具有一第一挡墙及一第二挡墙，该第一挡墙隔开该第一开口之该第一区与该第二开口的该第三区，该第二挡墙隔开该第一开口的该第二区与该第二开口的该第四区，其中该第一挡墙的最大宽度大于该第二挡墙的最大宽度。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在该法线方向上，该第一挡墙的正投影面积为该像素定义层的外边缘正投影内的面积的0％至3.如权利要求1所述的像素结构，更包括：一第三电极，设置于该第一电极的另一侧；一第三开口，于该法线方向上，该第三开口对应重叠该第三电极，且该第一挡墙隔开该第一开口与该第三开口以及该第二开口与该第三开口，其中于该第一挡墙与该第二挡墙的交接处，该第一挡墙的宽度朝该第三开口逐渐增加；以及多个发光层分别设置于该第一开口、该第二开口及该第三开口中。4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第一挡墙具有一第一部及一第二部，该第一部隔开该第一开口与该第二开口，该第二部隔开该第二开口与该第三开口，该第一部的宽度沿着该第一部的长轴方向逐渐增加至该一第一宽度W1再逐渐减少，且该第二部的宽度沿着该第二部的长轴方向逐渐增加至该一第二宽度W2再逐渐减少。5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，该第一部具有一第一长度K1，该第一宽度该第二部具有一第二长度K2，该第二宽度W2＝4Y-X，且X为该像素结构的长，Y为该发光层的液滴的半径长。6.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该像素结构的长为X，该发光层的液滴的半径长为Y，且X＝2Y。7.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该发光层的厚度往该像素定义层、该第一挡墙或该第二挡墙逐渐增加。8.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该第一开口位于该第二开口与该第三开口之间。9.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，当该像素结构为多个时，该些像素结构以阵列排列，该些像素结构包括一第一像素结构、一第二像素结构、一第三像素结构及一第四像素结构，该第一像素结构的该第一开口相邻该第二像素结构的该第一开口，该第一像素结构的该第二开口相邻该第三像素结构的该第二开口，该第二像素结构的该第三开口相邻该第四像素结构的该第三开口，且该第三像素结构的该第一开口不相邻该第四像素结构的该第一开口。10.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，当该像素结构为多个时，该些像素结构以阵列排列，该些像素结构包括一第一像素结构、一第二像素结构、一第三像素结构及一第四像素结构，该第一像素结构的该第一开口相邻该第二像素结构的该第一开口，该第一像素结构的该第二开口相邻该第三像素结构的该第二开口，该第二像素结构的该第三开口相邻该第四像素结构的该第三开口，且该第三像素结构的该第一开口相邻该第四像素结构的该第一开口。11.如权利要求9或10所述的像素结构，其特征在于，每一该像素结构的该第一开口对应具有一第一颜色的一第一子像素，该第二开口对应具有一第二颜色的一第二子像素，且相邻的两个该些像素结构的相同颜色的该些第一子像素之间或相同颜色的该些第二子像素由一绝缘层或像素定义层隔开。

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