申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2016-10-27

公开（公告）日：2021-09-17

公开（公告）号：CN113410314A

主分类号：H01L31/02(20060101)

分类号：H01L31/02(20060101);H01L31/0232(20140101);H01L31/105(20060101);H01L27/02(20060101);H01L27/144(20060101);H01L27/146(20060101);G02B6/00(20060101);G02B6/122(20060101)

优先权：["20160502 US 62/330,569","20160919 US 15/269,331"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.13#授权;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要：提供了用于基于光子平台的光电二极管系统的静电放电防护结构。具体地，本申请提供了光电二极管组件，该光电二极管组件包括：光电二极管如Si或SiGe光电二极管；波导212如硅波导；以及防护结构，其中，该防护结构包括二极管，该防护结构围绕Si或SiGe光电二极管的全部周围或基本上全部周围延伸并且允许来自硅波导212的光传播到Si或SiGe光电二极管中。

主权项：1.一种光电二极管组件，包括：光电二极管,包括p掺杂区域、n掺杂区域以及位于所述p掺杂区域与所述n掺杂区域之间的本征区域，其中，三个区域位于不同平面；波导，所述波导与所述光电二极管通信；防护结构，围绕所述光电二极管，与所述p掺杂区域、所述n掺杂区域、所述本征区域中的至少一个区域位于不同平面，其中，所述防护结构为二极管结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 静电放电防护结构

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