申请/专利权人：夏普株式会社

申请日：2021-03-12

公开（公告）日：2021-10-12

公开（公告）号：CN113497204A

主分类号：H01L51/52(20060101)

分类号：H01L51/52(20060101);H01L27/32(20060101)

优先权：["20200403 US 16/840261"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.04#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2021.10.12#公开

摘要：一种光发射结构包括：基板、所述基板的表面上方的子像素堆栈以及所述基板上包围所述子像素堆栈的堤。所述光发射结构还包括：内部空间中的第一填充材料，和所述第一填充材料上方的第二填充材料。所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰，并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰。所述第一发射峰是在基本上没有全内反射的情况下经过所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面发射的。所述第二个发射峰被所述界面完全内部反射之后到达所述堤的倾斜侧壁，并且沿着所述在轴方向发射。

主权项：1.一种光发射结构，其特征在于，其包括：基板；子像素堆栈，其位于所述基板表面上方；堤，其包围所述子像素堆栈并在所述子像素堆栈上方形成内部空间；第一填充材料，其位于所述内部空间中并具有第一折射率；第二填充材料，其位于所述第一填充材料上方并具有低于所述第一折射率的第二折射率；以及位于所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面，其中：所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述子像素堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰到所述第一填充材料中，并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰到所述第一填充材料中；所述第一发射峰在基本上没有全内反射的情况下经过所述界面发射；所述第二个发射峰在到达所述堤的倾斜侧壁之前被所述界面完全内部反射；并且所述第二发射峰被所述倾斜侧壁反射，并在基本上没有全内反射的情况下沿着所述在轴方向经过所述界面发射。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夏普株式会社 光发射结构、显示设备及子像素结构

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