申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2021-10-26

公开（公告）日：2022-01-28

公开（公告）号：CN113990939A

主分类号：H01L29/16(20060101)

分类号：H01L29/16(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/739(20060101);H01L27/07(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2024.03.22#发明专利申请公布后的视为撤回;2022.02.18#实质审查的生效;2022.01.28#公开

摘要：本发提供开了一种抑制Snapback现象的新型RC‑IGBT结构，该结构在常规RC‑IGBT结构的基础上，改变RC‑IGBT背面集电区的材料，使得在体内集成二极管区域，新的N型集电极与N型场截止层之间形成异质结，借助异质结的能带特性，在异质结处将形成电子势阱，阻断RC‑IGBT中二极管区域的N型集电极与场截止层之间存在的电子通路，避免RC‑IGBT在刚开启时工作在单极导电模式下，而是直接进入双极导电模式，从而抑制RC‑IGBT在开启过程中的Snapback现象。

主权项：1.一种抑制Snapback现象的新型RC-IGBT结构，其元胞结构包括P型集电区1和N型集电区2，位于集电区1、2上方的N型缓冲层3和N型漂移区4，载流子存储层5及P型基区6，所述P型基区6上设有N+型发射区7和P+型发射区8，N+型发射区7之间为由SiO2氧化层9和多晶硅10所构成的栅极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种抑制Snapback现象的新型RC-IGBT结构

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