申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2012-06-19

公开（公告）日：2013-04-03

公开（公告）号：CN103022089A

主分类号：H01L29/06(2006.01)I

分类号：H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态：2015.12.16#发明专利申请公布后的视为撤回;2013.05.01#实质审查的生效;2013.04.24#专利申请权、专利权的转移;2013.04.03#公开

摘要：一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规RC-IGBT的在N集电区（9）和N缓冲区（8）之间引入一个P浮空区（7），以消除其snapback效应，降低器件的关断损耗。新结构减小了N集电区（9）元胞长度及其有效面积，提高了集电极短路电阻，且P浮空区（7）的发射效率较P集电区（10）高，通过电导调制效应降低N-漂移区（6）电阻，由此消除snapback效应。在反向工作时，由N-漂移区（6）、P浮空区（7）、N集电区（9）构成的寄生晶体管开启，提供电流通路，与P体区（5）形成PNPN四层结构的正反馈，降低了器件反向导通时的导通电阻，实现了较低的开态电压和快速关断。

主权项：一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管，包括金属化发射极（1）、场氧化层（2）、多晶硅栅电极（3）、栅氧化层、N+源区（4）、P体区（5）、N‑漂移区（6）、N缓冲层（8）、N集电区（9）、P集电区（10）和金属化集电极（12）；P体区（5）位于N‑漂移区（6）顶部，N+源区（4）位于P体区（5）中，栅氧化层位于N+源区（4）、P体区（5）和N‑漂移区（6）的表面，多晶硅栅电极（3）位于栅氧化层表面，金属化发射极（1）覆盖N+源区（4）和P体区（5）的剩余表面，金属化发射极（1）与多晶硅栅电极（3）之间是场氧化层（2）；N‑漂移区（6）的下表面具有相互接触的P浮空区（7）和N缓冲层（8），P浮空区（7）和金属化集电极（12）之间是N集电区（9），N缓冲层（8）和金属化集电极（12）之间是P集电区（10），N集电区（9）和P集电区（10）被相互隔离；N集电区（9）与N‑漂移区（6）部分接触，接触宽度尺寸为Lgap；金属化集电极（12）内部具有一个氧化层（11），氧化层（11）将金属化集电极（12）隔离成两个部分，其中一部分金属化集电极（12）只与N集电区（9）接触，另一部分金属化集电极（12）只与P集电区（10）接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种无snapback效应的逆导型绝缘栅双极晶体管

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