申请/专利权人：北京英孚瑞半导体科技有限公司

申请日：2021-10-15

公开（公告）日：2022-02-25

公开（公告）号：CN114093981A

主分类号：H01L31/18(20060101)

分类号：H01L31/18(20060101);H01L31/107(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.03.15#实质审查的生效;2022.02.25#公开

摘要：本发明公开了一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，在衬底上依次生长缓冲层、吸收层、带宽渐变层、电荷控制层、倍增层、腐蚀截止层和盖层；然后腐蚀盖层，形成中央集电区和环绕中央集电区的电场保护环，腐蚀停止在腐蚀截止层的上表面；然后在被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层，然后在电场保护环外围的InP阻隔层之上形成一圈环形的SiO2隔离层，之后积光学减反膜，并在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出金属接触窗口；之后利用光刻胶形成上电极和金属打线板，上电极通过金属接触窗口与中央集电区接触，上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在中央集电区的上方。

主权项：1.一种基于二次外延的InAlAs雪崩光电探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：在p型InP衬底上依次生长p型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、In1-x-yAlxGayAs带宽渐变层、p型In0.52Al0.48As电荷控制层、In0.52Al0.48As倍增层、InxGa1-xAsyP1-y腐蚀截止层和n型InP盖层；步骤二：利用SiO2图形化硬掩模，利用腐蚀的方法腐蚀n型InP盖层，剩余的n型InP盖层形成n型InP中央集电区和环绕n型InP中央集电区的n型InP电场保护环，腐蚀停止在InxGa1-xAsyP1-y腐蚀截止层的上表面；所述n型InP中央集电区为圆形，位于中间区域，所述n型InP电场保护环环绕在n型InP中央集电区外围并且二者之间具有间隔；步骤三：利用步骤二中相同的SiO2硬掩模图形，在步骤二所述的被腐蚀区域二次外延生成InP阻隔层；二次外延之后，利用腐蚀的方法，腐蚀掉SiO2硬掩模，从而得到平坦的表面，即，使n型InP中央集电区、n型InP电场保护环和二次外延的InP阻隔层的表面齐平；步骤四：在步骤三得到的n型InP中央集电区、n型InP电场保护环和InP阻隔层的平坦表面上淀积SiO2层，然后利用光刻胶图形化掩模刻蚀掉部分区域的SiO2，使得在n型InP电场保护环外围的InP阻隔层之上形成一圈环形的SiO2隔离层；步骤五：在n型InP中央集电区、n型InP电场保护环、InP阻隔层以及SiO2隔离层的表面上淀积光学减反膜，利用腐蚀的方法在n型InP中央集电区上方的光学减反膜上开出一个环形的金属接触窗口；步骤六：利用光刻胶形成上电极金属和金属打线板图形，蒸镀金属并进行金属剥离，得到图形化的上电极和金属打线板；上电极通过步骤五中所述的金属接触窗口与n型InP中央集电区接触，并退火形成欧姆接触；金属打线板位于SiO2隔离层的正上方；所述上电极上具有一光学入射窗口，光学入射窗口在n型InP中央集电区的上方；步骤七：将p型InP衬底背面减薄、抛光后，在其下表面制备背电极，并退火形成欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

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