申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-29

公开（公告）日：2024-05-03

公开（公告）号：CN117976767A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/107;H01L31/105

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本公开提供了一种氮化镓雪崩探测器的制备方法和氮化镓雪崩探测器，可以应用于半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长i‑GaN缓冲层、i‑GaN模板层和n‑GaN层；控制TMGa的流量值由第一预设流量值降低到第二预设流量值，在TMGa的流量值为第二预设流量值的情况下，在n‑GaN层上生长i‑GaN层；控制TMGa的流量值由第二预设流量值恢复到第一预设流量值，在TMGa的流量值为第一预设流量值的情况下，在i‑GaN层上生长p‑GaN层，得到氮化镓雪崩探测器外延片；以及对氮化镓雪崩探测器外延片进行刻蚀和蒸镀，制备氮化镓雪崩探测器。

主权项：1.一种氮化镓雪崩探测器的制备方法，包括：在衬底上依次生长i-GaN缓冲层、i-GaN模板层和n-GaN层；控制TMGa的流量值由第一预设流量值降低到第二预设流量值，在所述TMGa的流量值为所述第二预设流量值的情况下，在所述n-GaN层上生长i-GaN层，其中，所述第一预设流量值为基于氮化镓雪崩探测器加工工艺确定的值，所述第二预设流量值为30±5sccm；控制所述TMGa的流量值由所述第二预设流量值恢复到所述第一预设流量值，在所述TMGa的流量值为所述第一预设流量值的情况下，在所述i-GaN层上生长p-GaN层，得到氮化镓雪崩探测器外延片；以及对所述氮化镓雪崩探测器外延片进行刻蚀和蒸镀，制备所述氮化镓雪崩探测器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 氮化镓雪崩探测器的制备方法和氮化镓雪崩探测器

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