申请/专利权人：湖南越摩先进半导体有限公司

申请日：2021-09-30

公开（公告）日：2022-03-08

公开（公告）号：CN215988736U

主分类号：H01L23/48(20060101)

分类号：H01L23/48(20060101);H01L23/488(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.03.08#授权

摘要：本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种耐大电流脑机接口模块，耐大电流脑机接口模块包括基板、电极芯片、金属块和控制芯片，基板上设有金属块，电极芯片通过金属块与基板电连接，控制芯片设置于基板与电极芯片之间，且控制芯片焊接于基板上且与基板电连接。本实用新型提供的耐大电流脑机接口模块采用基板、控制芯片和电极芯片依次叠层的设计方案，集成体积小，且相互之间的互连引线短，传输速率高。此外，金属块连接基板和电极芯片，使基板和电极芯片之间能过大电流，成本低。

主权项：1.一种耐大电流脑机接口模块，其特征在于，包括：基板100，所述基板100上设有金属块300；电极芯片200，所述电极芯片200通过所述金属块300与所述基板100电连接；控制芯片400，设置于所述基板100与所述电极芯片200之间，且所述控制芯片400焊接于所述基板100上且与所述基板100电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖南越摩先进半导体有限公司 一种耐大电流脑机接口模块

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