申请/专利权人：成都信息工程大学

申请日：2020-06-22

公开（公告）日：2022-04-12

公开（公告）号：CN111928781B

主分类号：G01B11/02(20060101)

分类号：G01B11/02(20060101);G02F1/01(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.12#授权;2020.12.01#实质审查的生效;2020.11.13#公开

摘要：本发明公开了一种基于古斯汉森位移的调控装置及调控方法，第一透镜与第二透镜均为聚焦透镜，且第一透镜与第二透镜共焦设置；第一透镜、第二透镜以及第一偏振镜沿激光器出射光源方向依次设置，且光源经过第一偏振镜之后进入棱镜；四分之一波片、半波片以及第二偏振镜沿棱镜反射之后的光源方向依次设置，且光源经过第二偏振镜之后进入所述图像传感器；电磁铁设置在所述棱镜上方和或下方，且磁感应方向与棱镜的竖轴垂直；棱镜斜面贴合设置一维光子晶体；所述棱镜上方设有加热板；本发明的有益效果为实现了在磁场强度的环境下，利用弱测量放大的古斯汉森位移值来确定其温度；实现了在一定温度下通过放大后的古斯汉森位移来确定磁场强度。

主权项：1.一种基于古斯汉森位移的调控装置，其特征在于：包括激光器、第一透镜、第二透镜、第一偏振镜、棱镜、四分之一波片、半波片、第二偏振镜以及图像传感器，所述激光器用于生成不同波长的激光光源；所述第一透镜与所述第二透镜均为聚焦透镜，且第一透镜与第二透镜共焦设置；所述第一透镜、所述第二透镜以及所述第一偏振镜沿激光器出射光源方向依次设置，且光源经过第一偏振镜之后进入棱镜；所述四分之一波片、所述半波片以及所述第二偏振镜沿棱镜反射之后的光源方向依次设置，且光源经过第二偏振镜之后进入所述图像传感器；电磁铁设置在所述棱镜上方和或下方，且磁感应方向与棱镜的竖轴垂直；所述棱镜斜面贴合设置一维光子晶体；所述棱镜上方设有加热板；所述一维光子晶体包括石墨烯层与二氧化钒层，所述石墨烯层与所述二氧化钒层交替成周期设置，周期数设置为20。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都信息工程大学 一种基于古斯汉森位移的调控装置及调控方法

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