申请/专利权人：武汉光迅科技股份有限公司

申请日：2022-01-04

公开（公告）日：2022-05-10

公开（公告）号：CN216485668U

主分类号：G02B6/42

分类号：G02B6/42

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.05.10#授权

摘要：本实用新型公开了一种基于PAM4的单波长100G光模块的BiasT电路，包括设于直流端的第一磁珠和第二磁珠，所述第一磁珠和所述第二磁珠串联连接，所述第一磁珠和所述第二磁珠用于提高BiasT电路的带宽。本实用新型提供的一种基于PAM4的单波长100G光模块的BiasT电路，有效填补了业内当前单波长100GPAM4光模块中BiasT电路的不足，还能应用于400GPAM4100GPAM4×4光模块中，具有应用范围广、带宽高等优势；进一步的，还降低了单波长100GPMA4光模块的设计改版风险。

主权项：1.一种基于PAM4的单波长100G光模块的BiasT电路，其特征在于，包括设于直流端的第一磁珠和第二磁珠，所述第一磁珠和所述第二磁珠串联连接，所述第一磁珠和所述第二磁珠用于提高BiasT电路的带宽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉光迅科技股份有限公司 一种基于PAM4的单波长100G光模块的Bias T电路

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