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【发明授权】一种DDR2/3 PHY BIST数据通道测试向量生成方法_北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所_201911252691.3 

申请/专利权人:北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所

申请日:2019-12-09

公开(公告)日:2022-05-13

公开(公告)号:CN111044886B

主分类号:G01R31/3183

分类号:G01R31/3183;G01R31/3187

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2022.05.13#授权;2020.05.15#实质审查的生效;2020.04.21#公开

摘要:本发明公开了一种DDR23PHYBIST数据通道测试向量生成方法,包括如下步骤:1选择LFSR结构,利用低频率时钟驱动LFSR结构产生伪随机数;2交织选择LFSR结构中移位寄存器值作为测试数据;3对测试数据进行组合,构造出最终测试向量。本发明结构简单易实现,在满足测试需求的条件下减小了BIST运行频率,降低功耗。

主权项:1.一种DDR23PHYBIST数据通道测试向量生成方法,其特征在于包括如下步骤:1选择LFSR结构,利用低频率时钟驱动LFSR结构产生伪随机数;2交织选择LFSR结构中移位寄存器值作为测试数据;从LFSR结构的n+1个移位寄存器中选择n个移位寄存器的值,对n个移位寄存器的值进行交织选择,得到每位DQ分配的测试数据,具体方式如下:将n个移位寄存器的值随机分成2×R等份,每份有B位测试数据,2×R份测试数据分配给DQ,每位DQ分配2×R个测试数据;n按照如下方式确定: 其中M为DQS频率,在DQS双沿变化的DQ频率为2×M;B为数据通道DQ位宽;PHY与DDR颗粒时钟频率之比为1:R,LFSR结构时钟频率为MR;3对测试数据进行组合,构造出最终测试向量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 一种DDR2/3 PHY BIST数据通道测试向量生成方法

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