申请/专利权人：中环领先半导体材料有限公司

申请日：2022-01-21

公开（公告）日：2022-05-20

公开（公告）号：CN114517290A

主分类号：C23C16/40

分类号：C23C16/40;C23C16/52

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2024.04.05#发明专利申请公布后的驳回;2022.06.07#实质审查的生效;2022.05.20#公开

摘要：本发明公开了一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺，其加工工艺包括以下步骤：S1、首先需要将APCVD设备管道进行实时连接组合，并且在APCVD设备内通入一定量的硅烷与氧气，通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜，通过对反应区域温度的实时控制，可以有效的影响不同位置长膜速率，进而起到改善薄膜均匀性的作用，S2、然后由于设备本身冷却水分布以及设备构造设计的原因，因此反应腔体内中部实际温度最高，并且温度设置需低于两侧，但是由于其处于排气出口位置，其实际的温度需高于两侧的温度，有效的实现了硅片膜厚均匀性的改善，有助于更好的起到薄膜的防止自掺杂的作用，同时使其外观更加符合要求。

主权项：1.一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺，其特征在于：其加工工艺包括以下步骤：S1、首先需要将APCVD设备管道进行实时连接组合，并且在APCVD设备内通入一定量的硅烷与氧气，通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜，通过对反应区域温度的实时控制，可以有效的影响不同位置长膜速率，进而起到改善薄膜均匀性的作用；S2、然后由于设备本身冷却水分布以及设备构造设计的原因，因此反应腔体内中部实际温度最高，并且温度设置需低于两侧，但是由于其处于排气出口位置，其实际的温度需高于两侧的温度；S3、最后因为机台内外两侧受冷却水影响温度损失较多，所以其设置温度应高于中部，并且设备内侧相对于设备外侧，其热量气体散失的相对较少，其温度设置应低于外侧的温度，综合设备情况，应设置设备温度中部低，内侧居中，外侧高，同时达到实际温度内侧低，中间高，外侧居中的效果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中环领先半导体材料有限公司 一种提高LTO膜厚均匀性的APCVD成膜加工工艺

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