申请/专利权人：艾德麦普株式会社

申请日：2019-08-28

公开（公告）日：2024-05-10

公开（公告）号：CN111868884B

主分类号：H01L21/205

分类号：H01L21/205;C04B35/569;C23C14/06;C23C14/58;C23C16/01;C23C16/42;H01L21/683

优先权：["20190228 JP 2019-036720"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.10#授权;2020.11.17#实质审查的生效;2020.10.30#公开

摘要：提供一种能够采用封闭构造的SiC膜构造体。SiC膜构造体10通过气相沉积型的成膜法向基材50的外周形成SiC膜，并通过去除基材50而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体12，其具有由SiC膜构成的立体形状，并且具有用于去除基材50的开口部12a；盖体14，其覆盖开口部12a；SiC涂层16，其至少覆盖本体12与盖体14的外缘部的接触部位而将两者接合。

主权项：1.一种SiC膜构造体，通过气相沉积型的成膜法向基材的外周形成SiC膜，并通过去除所述基材而得到由SiC膜确定的立体形状，其特征在于，具有：本体，其为由SiC膜构成的呈立体形状的中空部件，并且具有中空部、与所述中空部连通并用于去除所述基材的开口部；盖体，其覆盖所述开口部；SiC涂层，其至少覆盖所述本体与所述盖体的外缘部的接触部位而将两者接合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 艾德麦普株式会社 SiC膜构造体

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