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申请/专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日：2024-04-16
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118053910A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明公开了一种体内条状接地埋层的SiCMOSFET及其元胞结构，元胞结构包括位于第一区域的接地埋层；第一区域自下而上依次包括漏电极、N型衬底、第一N型漂移区、接地埋层、第二N型漂移区、P型沟道区、N型源区、栅氧化层、栅电极、栅源隔离氧化层和源电极；接地埋层包括沿第一方向延伸的P型埋层和沿第二方向延伸的两个P型深柱。其中，P型埋层保证了器件的耐压能力，可以保留较多的电流通路，从而减小特征导通电阻；两个P型深柱保证了的反向恢复特性等动态特性，防止寄生的NPN晶体管开启。在包含多个元胞结构的SiCMOSFET中，接地埋层可以拼接形成P型屏蔽层，能够屏蔽部分栅漏电容、优化开关特性。
主权项：1.一种体内条状接地埋层的SiCMOSFET的元胞结构，其特征在于，包括接地埋层，该接地埋层位于所述元胞结构的第一区域内；所述第一区域自下而上依次包括：漏电极、N型衬底、第一N型漂移区、接地埋层、第二N型漂移区、P型沟道区、N型源区、栅氧化层、栅电极、栅源隔离氧化层和源电极；其中，所述接地埋层在第一平面上的正投影呈U型，包括：沿第一方向延伸的P型埋层以及沿第二方向延伸的两个P型深柱，所述第一方向与所述第二方向垂直且均位于第一平面内，所述第一平面与所述N型衬底所在的平面垂直。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司 体内条状接地埋层的SiC MOSFET及其元胞结构
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