申请/专利权人：广州源井生物科技有限公司

申请日：2022-03-09

公开（公告）日：2022-05-31

公开（公告）号：CN114561337A

主分类号：C12N5/071

分类号：C12N5/071;C12N5/09

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.03#授权;2022.06.17#实质审查的生效;2022.05.31#公开

摘要：本发明公开了一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法，涉及HepG2细胞克隆技术领域。单克隆增强培养基的组分包括RPMI‑1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子‑1；提高HepG2细胞克隆形成率的方法如下：将HepG2细胞依次进行原代培养和传代培养后，采用有限稀释法制备单克隆，且在培养至24～48h后，将基础培养基更换为单克隆增强培养基，继续培养形成单克隆。使用本发明的单克隆增强培养基，HepG2细胞的单克隆形成率显著提高，这一发明解决了常规培养条件下HepG2细胞的单克隆形成率较低的问题。

主权项：1.一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基，其特征在于，所述单克隆增强培养基的组分包括RPMI-1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子-1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州源井生物科技有限公司 一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法

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