申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-27

公开（公告）日：2024-05-07

公开（公告）号：CN117995775A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.05.07#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：形成基底，基底包括衬底、以及凸立于衬底上的凸起部；形成位于凸起部上的沟道叠层结构，沟道叠层结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，每一个沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层，牺牲层包括多层子牺牲层，且距离沟道层越近的子牺牲层的被刻蚀速率越快；形成横跨沟道叠层结构的栅极结构，栅极结构覆盖沟道叠层结构的顶部和侧壁；沿平行于基底且与栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，横向刻蚀部分牺牲层，形成开口，开口由相邻沟道层与剩余的牺牲层围成，或者，开口由凸起部、与凸起部相邻的沟道层以及剩余的牺牲层围成。降低了在开口露出的沟道层表面出现剩余牺牲层的足部效应缺陷的概率。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、以及凸立于所述衬底上的凸起部；形成位于所述凸起部上的沟道叠层结构，所述沟道叠层结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，每一个所述沟道叠层包括牺牲层以及位于所述牺牲层上的沟道层，所述牺牲层包括多层子牺牲层，且距离所述沟道层越近的所述子牺牲层的被刻蚀速率越快；形成横跨所述沟道叠层结构的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述沟道叠层结构的顶部和侧壁；形成所述栅极结构之后，沿平行于所述基底且与所述栅极结构的延伸方向相垂直的方向上，横向刻蚀部分所述牺牲层，形成开口，所述开口由相邻所述沟道层与剩余的所述牺牲层围成，或者，所述开口由所述凸起部、与所述凸起部相邻的所述沟道层以及剩余的所述牺牲层围成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

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