龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日：2019-06-18
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN112103182B
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开
摘要：一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底；图形化所述基底，形成衬底和凸出于所述衬底的分立的鳍部和伪鳍部，所述鳍部位于器件区内，所述伪鳍部位于隔离区；去除隔离区的伪鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离层，隔离层覆盖鳍部的部分侧壁；减薄隔离区的隔离层，以隔离区剩余部分的隔离层作为目标隔离层，目标隔离层表面低于所述分立的鳍部之间的隔离层表面。由于目标隔离层表面低于所述分立的鳍部之间的隔离层表面，相应的降低了目标隔离层的体积，从而减小了目标隔离层对鳍部产生的应力，使鳍部两侧的应力达到平衡，避免器件区鳍部在应力不平衡时发生弯曲或倾斜的问题，提升了半导体结构的电学性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成器件的器件区和位于器件区两侧的隔离区；图形化所述基底，形成衬底和凸出于所述衬底的分立的鳍部和伪鳍部，所述鳍部位于所述器件区内，所述伪鳍部位于所述隔离区；去除所述隔离区的伪鳍部；在所述鳍部露出的衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁；减薄所述隔离区的隔离层，以所述隔离区剩余部分的隔离层作为目标隔离层，所述目标隔离层表面低于所述分立的鳍部之间的隔离层表面，所述目标隔离层表面与所述分立的鳍部之间的隔离层表面的高度差大于或者等于隔离区的衬底表面与器件区的衬底表面的高度差，以使所述分立的鳍部两侧应力平衡。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号