申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2022-11-11

公开（公告）号：CN115332333A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/04;H01L29/205;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明公开了一种基于ScAlNAlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，主要解决现有HEMT器件中异质结界面处由于极化效应较弱导致二维电子气浓度低的问题。其自下而上包括：GaAs衬底1、AlGaAs沟道层2、ScAlN势垒层3；该ScAlN势垒层的两端设有漏极4和源极5，中间设有栅极6，其漏、栅电极之间和源、栅电极之间淀积有Si3N4钝化层7。本发明选用AlGaAs材料作为沟道层并选用ScAlN超宽禁带材料作为势垒层，增大了ScAlNAlGaAs异质结中的极化效应和带隙差，使整体二维电子气2DEG密度能维持在较高水平，可用来制备高频、大功率微波器件。

主权项：1.一种基于ScAlNAlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底1、沟道层2、势垒层3、势垒层上同时设有漏极4、源极5和栅极6，其特征在于：所述衬底1，采用100面向111A方向偏向的GaAs衬底，以提高生长的材料的表面形貌和电学性能；所述沟道层2，采用AlGaAs材料，以提高沟道载流子的数量和浓度；所述势垒层3，采用ScAlN材料，以增大异质结中的极化效应和带隙差，提高2DEG密度，该ScAlN势垒层上未淀积电极的位置处设有Si3N4钝化层7，以抑制电流崩塌现象。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于ScAlN/AlGaAs异质结的高电子迁移率晶体管及制备方法

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