申请/专利权人：广州志橙半导体有限公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2022-11-18

公开（公告）号：CN115354391A

主分类号：C30B19/06

分类号：C30B19/06;H01L21/67

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的撤回

法律状态：2023.01.24#发明专利申请公布后的撤回;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开

摘要：本发明涉及半导体外延生长设备的技术领域，公开了一种用于外延生长的LPE设备，包括：反应器和进出气装置；本发明通过将2个动力气孔连通动力气导流结构和托盘结构改为增加至3个及以上的动力气孔连通动力气导流结构和托盘结构，令动力气驱动转盘结构进行更加稳定的旋转，大幅提高晶片的外延性，本发明中的工艺气导流结构设置在中间腔室的两端，工艺气导流结构的两端开口为矩形，其面积大于传统工艺气导流结构中的孔洞式开口，因此能够令中间腔室中的工艺气充足，提升了外延片的寿命，解决了外延反应时工艺气在中间腔室内的均匀性不够高，导致生产出来的外延片的寿命较短的问题。

主权项：1.一种用于外延生长的LPE设备，其特征在于，包括：反应器和进出气装置；所述反应器包括支撑结构、上端腔室结构、下端腔室结构以及托盘结构；所述上端腔室结构和所述下端腔室结构分别设置在所述支撑结构的两端，形成上端腔室、中间腔室以及下端腔室，所述支撑结构具有一个中空部，所述托盘结构通过所述中空部固定安装在所述支撑结构上，所述托盘结构用于放置晶片；所述进出气装置包括工艺气导流结构、保护气导流结构以及动力气导流结构；所述工艺气导流结构设置在所述中间腔室的两端，用于对所述中间腔室引入和导出工艺气，所述工艺气用于供所述晶片发生外延反应；所述保护气导流结构分别设置在所述上端腔室和所述下端腔室的两端，用于对所述上端腔室和所述下端腔室引入和导出保护气，所述保护气用于对所述中间腔室进行保温及气氛保护；所述动力气导流结构设置在所述下端腔室结构上，所述下端腔室结构上倾斜设置有若干动力气孔，所述动力气孔的数目至少为3个，所述动力气导流结构通过所述若干动力气孔与所述托盘结构连通，所述动力气导流结构通过所述若干动力气孔对所述托盘结构输出动力气，所述动力气用于驱动所述托盘结构进行旋转。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州志橙半导体有限公司 一种用于外延生长的LPE设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD