申请/专利权人：沃孚半导体公司

申请日：2021-04-26

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115606007A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/06;H01L29/16

优先权：["20200430 US 16/863,797"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：功率开关设备包括半导体层结构、并联电连接的多个单位单元晶体管、以及栅极连接器，每个单位单元晶体管包括在半导体层结构上的具有在第一方向上延伸的纵轴的栅极指，栅极指沿第二方向彼此间隔开，栅极连接器具有在第二方向上延伸的纵轴，栅极连接器连接到所述多个单位单元晶体管的栅极指。

主权项：1.一种半导体设备，包括：半导体层结构；多个单位单元晶体管，所述多个单位单元晶体管并联电连接，每个单位单元晶体管包括在所述半导体层结构上的具有在第一方向上延伸的纵轴的栅极指，所述栅极指沿第二方向彼此间隔开；以及栅极连接器，所述栅极连接器具有在所述第二方向上延伸的纵轴，所述栅极连接器连接到所述多个单位单元晶体管的所述栅极指。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沃孚半导体公司 用于功率设备中的电接触区的导电增强层

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