申请/专利权人：核工业第八研究所

申请日：2022-11-04

公开（公告）日：2023-01-17

公开（公告）号：CN115611633A

主分类号：C04B35/573

分类号：C04B35/573;C04B35/577;C04B35/80;C04B35/622;G21C3/07

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.01.17#公开

摘要：本发明涉及一种长尺寸SiCfSiC复合材料包壳PyCSiCn多层界面层及其制备方法，PyCSiCn多层界面层位于SiC纤维和SiC基体之间，其由内向外依次由PyC界面层和SiC界面层交替沉积组成，所述PyCSiCn多层界面层中的n为PyC界面层和SiC界面层交替沉积的次数，n的范围为1‑3，所述PyCSiCn多层界面层的总厚度为100nm～1000nm，所述PyCSiCn多层界面层采用化学气相沉积工艺制备。与现有技术相比，本发明通过CVD工艺工装交替沉积制备PyC界面层和SiC界面层形成的PyCSiCn多层界面层，实现了PyCSiCn多层界面层的均匀沉积，也提高了SiCfSiC复合材料包壳的抗氧化性能、界面稳定性和力学性能。

主权项：1.一种长尺寸SiCfSiC复合材料包壳PyCSiCn多层界面层，位于SiC纤维与SiC基体之间，其特征在于，由内向外依次由PyC界面层和SiC界面层交替沉积组成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 核工业第八研究所 一种长尺寸SiC_f/SiC复合材料包壳(PyC/SiC)_n多层界面层及其制备方法

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