申请/专利权人：朗姆研究公司

申请日：2018-09-11

公开（公告）日：2023-01-24

公开（公告）号：CN111065760B

主分类号：C23C16/448

分类号：C23C16/448;C23C16/455;C23C16/50

优先权：["20170914 US 15/704,151"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.01.24#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.04.24#公开

摘要：一种可用于在化学气相沉积装置的室中的半导体衬底上沉积材料的汽化器，所述汽化器包括：第一入口，其被配置为接收雾化的前体；第二入口，其被配置为接收载体气体；流动路径，其与所述第一入口和所述第二入口流体连通，且被配置为实现对所述第一入口和所述第二入口所供应的雾化的前体与载体气体流的紊流。多个加热元件包括：第一加热元件，其被配置为加热所述流动路径的第一区域；以及第二加热元件，其被配置为加热所述流动路径的第二区域。与所述流动路径流体连通的出口被配置为输送从所述雾化的前体产生的蒸气。

主权项：1.一种汽化器，其用于供应蒸气至化学气相沉积装置，在所述化学气相沉积装置中处理半导体衬底，所述汽化器包括：第一入口，其被配置为接收雾化的前体；第二入口，其被配置为接收载体气体；单一涡旋流动路径，其与所述第一入口和所述第二入口流体连通，且被配置为实现对所述第一入口和所述第二入口所供应的雾化的前体与载体气体流的紊流；多个加热元件，其包括：第一加热元件，其被配置为加热所述流动路径的第一区域；以及第二加热元件，其被配置为加热所述流动路径的第二区域；以及出口，其与所述流动路径流体连通，并且被配置为输送从所述雾化的前体产生的蒸气；其中所述流动路径延伸通过堆叠板装置，其中所述流动路径的延伸包括通过连接通道在所述堆叠板装置中竖直延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 朗姆研究公司 紊流涡旋多区前体汽化器

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