申请/专利权人：世界先进积体电路股份有限公司

申请日：2018-11-05

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN111146286B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.03.14#授权;2020.06.05#实质审查的生效;2020.05.12#公开

摘要：本发明提供了一种半导体装置，其包含半导体层，设置于基底上方；掺杂区，设置于半导体层中；元件区，设置于掺杂区上，包含源极、漏极和栅极；第一隔离结构，设置于半导体层中且环绕掺杂区；第二隔离结构，环绕第一隔离结构且与第一隔离结构隔开；以及端子，设置于第一隔离结构和第二隔离结构之间，且与源极等电位。本发明可以消除在隔离结构外部施加的电压对隔离结构内部元件的干扰，进而提升可靠度和安全操作区间。

主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体层，设置于一基底上方；一多个第一掺杂区，设置于该半导体层中；一多个第一元件区，分别设置于所述多个第一掺杂区的每一个上，其中所述多个第一元件区各自包括一源极、一漏极和一栅极；一多个第一隔离结构，设置于该半导体层中，其中所述多个第一隔离结构的每一个各自环绕所述多个第一掺杂区的每一个；一第二隔离结构，环绕所述多个第一隔离结构且与所述多个第一隔离结构的每一个隔开；一端子，设置于所述多个第一隔离结构和该第二隔离结构之间，且位于所述多个第一隔离结构的两者之间，且与该源极等电位；一绝缘层，设置于该基底与该半导体层之间，其中该绝缘层从该第二隔离结构远离该端子的一第一侧延伸至该第二隔离结构邻近该端子的一第二侧，且该掺杂区的底面整个接触该绝缘层的顶面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 世界先进积体电路股份有限公司 半导体装置

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