申请/专利权人：北京超弦存储器研究院

申请日：2021-09-27

公开（公告）日：2023-03-31

公开（公告）号：CN115881561A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H10N50/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.04.18#实质审查的生效;2023.03.31#公开

摘要：本发明提供了一种磁隧道结互连通孔填充塞接触电阻测量结构及测量方法，包括磁隧道结、复合金属层和电极组，所述磁隧道结为包含磁性金属材料的膜叠层；所述复合金属层通过通孔填充塞与磁隧道结连接；所述电极组为包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一电极通过设置在复合金属层上的互连引线经通孔填充塞与第四电极连接；所述第二电极和第三电极分别通过通孔填充塞阵列与所述磁隧道结连接。给电极输入电源后，电流将主要通过通孔填充塞和磁隧道结的磁性金属材料，磁隧道结的磁性金属材料阻值极小可忽略，因此测得的电阻值即为互连通孔的接触电阻，测得的接触电阻无互连引线电阻带来的误差。

主权项：1.一种磁隧道结互连通孔填充塞接触电阻测量结构，其特征在于，包括磁隧道结、复合金属层和电极组，其中所述磁隧道结为包含磁性金属材料的膜叠层；所述复合金属层通过通孔填充塞与磁隧道结连接；所述电极组为包括第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一电极通过设置在复合金属层上的互连引线经通孔填充塞与第四电极连接；所述第二电极和第三电极分别通过通孔填充塞阵列与所述磁隧道结连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京超弦存储器研究院 磁隧道结互连通孔填充塞接触电阻测量结构及测量方法

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