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【发明授权】一种选通管及其制备方法_华中科技大学_202210356783.1 

申请/专利权人:华中科技大学

申请日:2022-04-06

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN114864814B

主分类号:H10N70/20

分类号:H10N70/20;H10N70/00

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要:本发明属于微纳米电子器件技术领域,具体公开了一种选通管及其制备方法,该选通管包括衬底以及依次堆叠于所述衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层;所述中间介质层由富氧氧化物层和化学计量氧化物层双层堆叠而成,所述富氧氧化物中的氧价态高于正常化学价态,在热力学作用下所述富氧氧化物层中的氧向所述化学计量氧化物层迁移扩散并在界面迁移势垒的作用下钉扎在二者的界面处,形成富氧界面。本发明选通管在外界电压消失后金属导电丝倾向于在富氧界面处自发性断裂,从而有效地控制导电丝在器件中的生长形貌和通断位置,提高选通管发生阈值阻变过程中阈值电压的一致性。

主权项:1.一种选通管,其特征在于:包括衬底以及依次堆叠于所述衬底上的第一电极层、中间介质层和第二电极层;所述中间介质层由富氧氧化物层和化学计量氧化物层双层堆叠而成,所述富氧氧化物中的氧价态高于正常化学价态,在热力学作用下所述富氧氧化物层中的氧向所述化学计量氧化物层迁移扩散并在界面迁移势垒的作用下钉扎在二者的界面处,形成富氧界面;所述富氧氧化物层的材料为TaO2.5+x、VO2.5+x、NbO2.5+x、FeO2.5+x、TiO2+x、ZrO2+x、HfO2+x、SiO2+x、AlO1.5+x、YO1.5+x、MgO1+x和ZnO1+x中的一种或多种,其中x大于0;所述化学计量氧化物层的材料为Ta2O5、V2O5、Nb2O5、Fe2O5、TiO2、ZrO2、HfO2、SiO2、Al2O3、Y2O3、MgO和ZnO中的一种或多种;所述第一电极层和第二电极层中的至少一层采用活性金属材料;所述第二电极层采用活性金属材料,所述第一电极层采用惰性金属材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华中科技大学 一种选通管及其制备方法

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