申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司

申请日：2022-12-15

公开（公告）日：2023-04-18

公开（公告）号：CN115985951A

主分类号：H01L29/417

分类号：H01L29/417;H01L21/331;H01L29/739

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.05#实质审查的生效;2023.04.18#公开

摘要：本发明具体公开了一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法，解决了现有技术中存在的IEGT器件高温大电流下容易闩锁的问题。具体技术方案为：在区熔单晶硅衬底片上形成IEGT的P型dummy区，两侧刻蚀沟槽，热生长牺牲氧化层，剥离后再次生长栅氧化层在沟槽中淀积多晶硅，形成IEGT的沟槽栅极，正面依次离子注入形成PBody区及发射区，刻蚀接触孔后，正面离子注入硼和二氟化硼形成接触孔欧姆接触区域并淀积金属，背面离子注入形成场截止FS层及集电区，并溅射背面金属。本发明通过改变IEGT器件发射极N+的Layout结构，增大了NPN晶体管发射极电阻，降低NPN管的电流增益，提高IEGT器件的抗闩锁能力。

主权项：1.一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤一、制备轻掺杂区熔单晶硅衬底片（100）；步骤二、在区熔单晶硅衬底片上进行P+注入并推进，形成IEGT的P型dummy区（200）；步骤三、在正面刻蚀沟槽（300），热生长牺牲氧化层，剥离后再次生长栅氧化层（301）；步骤四、在沟槽（300）中淀积多晶硅，完整填充沟槽，并回刻Si晶圆表面，形成IEGT的沟槽栅极；步骤五、正面离子注入硼B并热推进形成PBody区（400）；步骤六、正面离子注入砷As并热推进形成发射区（500）；步骤七、正面淀积由USG和BPSG构成的层间介质层（600）；步骤八、正面刻蚀接触孔（700），蚀刻体硅区域深度为发射区下方；步骤九、正面离子注入硼B和二氟化硼BF2，形成接触孔欧姆接触区域（800），并淀积金属（900）；步骤十、背面离子注入形成场截止FS层（101）；步骤十一、背面离子注入B形成集电区（102），并溅射背面金属（103）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 龙腾半导体股份有限公司 一种增强抗闩锁特性的IEGT器件及其制造方法

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