申请/专利权人：复旦大学

申请日：2022-12-30

公开（公告）日：2023-05-09

公开（公告）号：CN116090394A

主分类号：G06F30/392

分类号：G06F30/392;G06F30/398;G06F117/02;G06F119/02;G06F111/08;G06F111/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.05.26#实质审查的生效;2023.05.09#公开

摘要：本发明属于半导体和集成电路技术领域，具体为一种考虑TAPCELL对单粒子效应影响的版图布局方法；本发明的集成电路抗单粒子效应加固方法适用于使用TAPCELL作为衬底接触的体硅工艺。该加固方法主要利用了标准单元的单粒子效应敏感性会随着其与TAPCELL间距变化而变化的特性。其先通过网表级分析，得到每个标准单元的软错误率，然后在电路布局时，通过调整不同单元的位置来减小电路整体的软错误率。本发明与原有的集成电路工艺流程相兼容，具有较高的灵活性，能够在不增加面积开销的情况下减少电路整体的软错误率。

主权项：1.一种考虑TAPCELL对单粒子效应影响的版图布局方法，其特征在于，其利用了标准单元的单粒子效应敏感性会随着其与TAPCELL间距变化而变化的特性，通过调整电路版图中标准单元位置达到电路加固的作用；具体实现时，涉及到三个过程：标准单元敏感性信息的获取，版图布局优化调整和版图试布线，其中：标准单元敏感性的获取：通过对目标电路中门级网表文件、电路描述文件的分析，推算出电路中每个标准单元中产生的单粒子效应在电路中传播后最终成为软错误的概率，即传播概率作为优化阶段的软错误敏感性指标；版图布局优化调整：根据获得的标准单元敏感性信息，利用TapCell衬底对标准单元敏感性的影响，对电路版图进行调整，通过调整各个标准单元的位置以降低整体电路对软错误的敏感性；版图试布线：将调整后的版图结构交给EDA工具进行布线工作，尝试给出符合设计要求的电路版图。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 考虑TAP CELL对单粒子效应影响的版图布局方法

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