申请/专利权人：ATONARP株式会社

申请日：2020-03-24

公开（公告）日：2023-05-23

公开（公告）号：CN116148335A

主分类号：G01N27/62

分类号：G01N27/62;G01N27/622;G01N27/626;G01N21/67;G01N1/34

优先权：["20190325 JP 2019-057148"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.09#实质审查的生效;2023.05.23#公开

摘要：本发明提供一种工艺系统。气体分析装置1具有：样品腔室11，其具备介电性的壁体构造12，仅流入作为测定对象的样品气体9；等离子体生成机构13，其借由介电性的壁体构造来通过电场和或磁场在被减压后的样品腔室内生成等离子体18；以及分析单元21，其借由所生成的等离子体来分析样品气体。能够提供一种即使是含有腐蚀性气体的样品气体也能够长时间、高精度地进行分析的气体分析装置。

主权项：1.一种工艺系统，具有：工艺腔室，在所述工艺腔室中实施等离子体工艺；气体分析装置，从所述工艺腔室向所述气体分析装置供给样品气体；排气系统，用于借由所述气体分析装置排出所述样品气体；以及工艺控制单元，其基于所述气体分析装置的测定结果，来对在所述工艺腔室内实施的至少一个等离子体工艺进行控制。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ATONARP株式会社 工艺系统

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