申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司

申请日：2021-12-06

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN114188450B

主分类号：H01L33/14

分类号：H01L33/14;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2022.04.01#实质审查的生效;2022.03.15#公开

摘要：本申请公开了一种增强抗EOS能力的倒装LED芯片的制作方法，由于在LED制造工艺过程中，第二次电极蒸发的厚度对电压亮度的影响不大，为了降低成本，通常选择将厚度设定在0.5‑1um；通过研究发现，第二次电极蒸发厚度过薄，容易导致抗EOS能力偏弱。本发明提供的方法，通过增加第二次金属电极蒸发的金属叠层的厚度，在不影响光电性能的情况下，大幅度提升LED芯片的抗EOS能力，减少发生EOS事件的几率，提高LED芯片的的使用寿命。

主权项：1.一种增强抗EOS能力的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在LED外延片刻蚀出N-GaN以及切割道，LED外延片没有刻蚀的部分为P-GaN；通过光刻操作及ICP工艺，将所述切割道中的外延全部刻穿，露出衬底图形；在LED芯片表面沉积一层CBL电流阻挡层；通过光刻操作及湿法腐蚀刻出所述CBL电流阻挡层的所需图形；在包含CBL电流阻挡层的LED芯片表面沉积一层透明导电层，通过光刻操作及湿法腐蚀去除多余部分；在包含透明导电层的LED芯片表面上，通过光刻操作刻出第一PAD预设图形，进行第一次金属电极蒸发；通过等离子辅助沉积，在第一次金属电极蒸发后的LED芯片表面镀上DBR，通过光刻操作和ICP工艺，刻穿DBR至第一PAD预设图形进行金属电极蒸发后的部分，所述DBR为SiO2和TIO2交错组成的材料叠层，每层材料的光学厚度为中心反射波长的14；在包含DBR的LED芯片表面上，通过光刻操作刻出第二PAD预设图形，进行第二次金属电极蒸发，所述第二次金属电极蒸发的金属电极材质为Cr、Ti、Al、Ag、Ni、Pt、Au其中一种，总厚度控制在1-5um；在进行第二次金属电极蒸发后的LED芯片表面上沉积一层绝缘层，通过光刻操作和ICP工艺做出PN-bondpad通孔；在包含绝缘层的LED芯片表面上，通过光刻操作刻出第三PAD预设图形，进行第三次金属电极蒸发；对经过三次金属电极蒸发后的LED芯片进行后续处理。

全文数据：

权利要求：

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