申请/专利权人：山东大学

申请日：2023-03-15

公开（公告）日：2023-06-23

公开（公告）号：CN116322294A

主分类号：H10N97/00

分类号：H10N97/00;C23C16/455;C23C16/52;C23C16/40;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58;C23C28/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明公开了一种基于渐变组分降低HfZrO基铁电电容器矫顽电场的方法。渐变组分的HfZrO铁电电容器包括：衬底；底电极；介质层；顶电极。所述的超薄HfZrO介质层是渐变组分的，介质层中HfO2和ZrO2的组分比例在9~1∶1~9之间，介质层厚度为10nm及以下。通过对器件进行电学测试，相比于恒定组分的铁电器件，渐变组分的HfZrO铁电电容器具有较低的矫顽电场，且有较高的剩余极化强度。一方面，较低的矫顽电场能使器件在较低的电压下能够完成极化翻转，从而降低器件的操作功耗。另一方面，若器件具有较低的矫顽电场，可以避免施加较大的电场对器件进行极化翻转，从而提高了器件的稳定性和耐久性。

主权项：1.一种基于渐变组分降低HfZrO基铁电电容器矫顽电场的方法，其特征在于，器件结构包括衬底、底电极、介质层和顶电极，所述的介质层为渐变组分的超薄HfZrO，介质层厚度可以控制在10nm及以下，厚度变化范围4~10nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东大学 一种基于渐变组分降低HfZrO基铁电电容器矫顽电场的方法

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