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【发明公布】电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件_三星电子株式会社_202311329628.1 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2023-10-13

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN117917950A

主分类号:H10N97/00

分类号:H10N97/00;H10B12/00;H01L23/64

优先权:["20221020 KR 10-2022-0135714"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.23#公开

摘要:一种电容器结构包括:下电极结构,具有位于基板上的下电极和包括电极图案的电极结构,该电极图案沿与基板的上表面实质上垂直的竖直方向堆叠在下电极上;介电图案,接触下电极结构;以及上电极,接触介电图案。

主权项:1.一种电容器结构,包括:下电极结构,包括:下电极,在基板上,以及电极结构,在所述下电极上,所述电极结构具有在与所述基板的上表面实质上垂直的竖直方向上堆叠的电极图案;介电图案,接触所述下电极结构;以及上电极,接触所述介电图案。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件

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