申请/专利权人：富士电机株式会社

申请日：2023-08-22

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917770A

主分类号：H01L25/18

分类号：H01L25/18;H02M1/00;H01L23/498

优先权：["20221021 JP 2022-169264"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明提供一种抑制栅极振荡的半导体模块，所述半导体模块1‑1具有：配置有IGBT11的电路基板b1、配置有IGBT12的电路基板b2、辅助发射极端子AE1、在电路基板b1上与IGBT11的发射极电连接的连接部13、在电路基板b2上与IGBT21的发射极电连接的连接部23和辅助发射极布线。辅助发射极布线包括共用布线部1a和单独布线部1b、1c。共用布线部1a将辅助发射极端子AE1与分支点连结。单独布线部1b将分支点与连接部13连结，并且具有比共用布线部1a的电感的10％小的电感。单独布线部1c将分支点与连接部23连结，并且具有比共用布线部1a的电感的10％小的电感。

主权项：1.一种半导体模块，其特征在于，具有：第一电路基板，其配置有第一开关元件；第二电路基板，其配置有与所述第一开关元件并联连接的第二开关元件；辅助发射极端子；第一连接部，其在所述第一电路基板中与所述第一开关元件的发射电极电连接；第二连接部，其在所述第二电路基板中与所述第二开关元件的发射电极电连接；以及辅助发射极布线，其与所述辅助发射极端子电连接，所述辅助发射极布线具有：共用布线部，其将所述辅助发射极端子与分支点连结；第一单独布线部，其将所述分支点与所述第一连接部连结，并且具有比所述共用布线部的电感的10％小的电感；以及第二单独布线部，其将所述分支点与所述第二连接部连结，并且具有比所述共用布线部的电感的10％小的电感。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 富士电机株式会社 半导体模块

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