申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220829971U

主分类号：H01L33/24

分类号：H01L33/24;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型公开了一种微型发光二极管，该微型发光二极管包括：衬底；缓冲层，形成在衬底上；n型层，形成在缓冲层上；有源层，有源层在n型层上形成第二台面；p型层，p型层在有源层上形成第一台面；n型电极和p型电极，n型电极形成在n型层上，p型电极形成在p型层上；绝缘层，形成在n型层、有源层和p型层上，n型电极和p型电极上开设有电极窗口；其中，第一台面的宽度小于第二台面的宽度，以调控有源层内的载流子的输运路径，使载流子远离有源层的侧壁。本实用新型提供的微型发光二极管能够有效抑制刻蚀损伤带来的辐射复合效率下降，进而可以提高器件的辐射复合效率。

主权项：1.一种微型发光二极管，所述微型发光二极管的尺寸在十微米至百微米级，其特征在于，包括：衬底1；缓冲层2，形成在所述衬底1上；n型层3，形成在所述缓冲层2上；有源层4，所述有源层4在所述n型层3上形成第二台面；p型层5，所述p型层5在所述有源层4上形成第一台面；n型电极6和p型电极7，所述n型电极6形成在所述n型层3上，所述p型电极7形成在所述p型层5上；绝缘层8，形成在所述n型层3、所述有源层4和所述p型层5上，所述n型电极6和所述p型电极7上开设有电极窗口；其中，所述第一台面的宽度小于所述第二台面的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 微型发光二极管

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